|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
2SA836 изготавливается путем: |
Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | скачать 2SA836 лист данных ( datasheet ) от Hitachi Semiconductor |
pdf 38 kb |
|
ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) Другие с той же файл данные: 2SA778(K), |
скачать 2SA836 лист данных ( datasheet ) от Hitachi Semiconductor |
pdf 38 kb |
|
Transistors>Amplifiers/Bipolar | скачать 2SA836 лист данных ( datasheet ) от Renesas |
pdf 55 kb |
2SA831 | Посмотреть 2SA836 в наш каталог | 2SA838 |