|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
2SK1365 изготавливается путем: |
Применения источника питания переключения типа mos канала н кремния транзистора влияния поля (pi-MOSII-MOSII -5) | скачать 2SK1365 лист данных ( datasheet ) от TOSHIBA |
pdf 281 kb |
2SK1363 | Посмотреть 2SK1365 в наш каталог | 2SK1374 |