|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
3N200 изготавливается путем: |
ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ ДВОЙНОЙ INSULATED-GATE FIELD-EFFECT | скачать 3N200 лист данных ( datasheet ) от Intersil |
pdf 388 kb |
|
Кремний двойного изолированным затвором полевого транзистора. | скачать 3N200 лист данных ( datasheet ) от General Electric Solid State |
pdf 389 kb |
3N191 | Посмотреть 3N200 в наш каталог | 3N201 |