|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



BF998 изготавливается путем:English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
Информация для частей производства InfineonRF-MOSFET - VDS=8V, gfs=24mS, Gps=28dB, F=1dB

Другие с той же файл данные:
BF1005, BF998R,
скачать BF998 лист данных ( datasheet ) от
Infineon
pdf
253 kb
Информация для частей производства PhilipsMOS-FETs Н-kanala кремния двузатворные скачать BF998 лист данных ( datasheet ) от
Philips
pdf
82 kb
Информация для частей производства VishayТетрод MOS‐Fieldeffect Строба Н-Kanala Двойной, Режим Расхода

Другие с той же файл данные:
BF998RW,
скачать BF998 лист данных ( datasheet ) от
Vishay
pdf
169 kb
Информация для частей производства SiemensТетрод mosfet канала н кремния (транзистор Скоро-kanala с высоким фактором качества S/C для малошумного, приобретать-gain-controlled входного сигнала ставит up to 1 гигагерц)

Другие с той же файл данные:
Q62702-F1129,
скачать BF998 лист данных ( datasheet ) от
Siemens
pdf
187 kb
Информация для частей производства NXP SemiconductorsN-канальный МОП-транзистор с двумя воротами скачать BF998 лист данных ( datasheet ) от
NXP Semiconductors
pdf
126 kb
BF997Посмотреть BF998 в наш каталогBF998A



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com