 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| IRF510 изготавливается путем: | 
|
 | Мощность MOSFET N-канал, 100 В, 5.6A Другие с той же файл данные: IRF511, IRF512, IRF513, |
скачать IRF510 лист данных ( datasheet ) от Harris Semiconductor |
pdf 74 kb |
 | 5.6ЈA, 100V, 0.540 Ома, Mosfet Силы Н-Kanala | скачать IRF510 лист данных ( datasheet ) от Fairchild Semiconductor |
pdf 97 kb |
 | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете TO-220AB | скачать IRF510 лист данных ( datasheet ) от International Rectifier |
pdf 181 kb |
 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 100V. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 4.0A. | скачать IRF510 лист данных ( datasheet ) от General Electric Solid State |
pdf 173 kb |
 | FETs Силы Повышени-Rejima Вертикальные DMOS Н-Kanala | скачать IRF510 лист данных ( datasheet ) от Supertex Inc |
pdf 77 kb |
 | 5.6ЈA/ 100V/ Mosfet Силы Н-Kanala 0.540 Омов | скачать IRF510 лист данных ( datasheet ) от Intersil |
pdf 74 kb |
| IRF500C10RJ | Посмотреть IRF510 в наш каталог | IRF510-513 |