|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



IRF512 изготавливается путем:English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
Информация для частей производства Supertex IncFETs Силы Повышени-Rejima Вертикальные DMOS Н-Kanala

Другие с той же файл данные:
IRF510, IRF511, IRF513,
скачать IRF512 лист данных ( datasheet ) от
Supertex Inc
pdf
77 kb
Информация для частей производства Harris SemiconductorМощность MOSFET N-канал, 100 В, 4.9a скачать IRF512 лист данных ( datasheet ) от
Harris Semiconductor
pdf
74 kb
Информация для частей производства General Electric Solid StateN-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 100V. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 3.5A. скачать IRF512 лист данных ( datasheet ) от
General Electric Solid State
pdf
173 kb
Информация для частей производства Fairchild SemiconductorMOSFETs/ 5.5 A/ 60-100V Силы Н-Kanala

Другие с той же файл данные:
IRF510-513,
скачать IRF512 лист данных ( datasheet ) от
Fairchild Semiconductor
pdf
156 kb
IRF511Посмотреть IRF512 в наш каталогIRF513



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com