 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| IRF830 изготавливается путем: | 
|
 | OPTOCOUPLER 400V MOSFET СИЛЫ/ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОЕ 50OHM | скачать IRF830 лист данных ( datasheet ) от BayLinear |
pdf 40 kb |
 | Энергия лавины транзистора PowerMOS расклассифицировала | скачать IRF830 лист данных ( datasheet ) от Philips |
pdf 62 kb |
 | Поле Мощность Транзистор Влияния | скачать IRF830 лист данных ( datasheet ) от ON Semiconductor |
PDF 115 kb |
 | 500V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB Другие с той же файл данные: IRF830PBF, |
скачать IRF830 лист данных ( datasheet ) от International Rectifier |
pdf 178 kb |
 | 4.5ЈA, 500V, 1.500 Ома, Mosfet Силы Н-Kanala | скачать IRF830 лист данных ( datasheet ) от Fairchild Semiconductor |
pdf 99 kb |
 | 500 V, поле власти транзистор | скачать IRF830 лист данных ( datasheet ) от TRANSYS Electronics Limited |
pdf 274 kb |
 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 500В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 4.5A. Другие с той же файл данные: IRF831, IRF832, IRF833, |
скачать IRF830 лист данных ( datasheet ) от General Electric Solid State |
pdf 169 kb |
 | Н - КАНАЛ 500V - 1.35W - 4.5ЈA - Mosfet TO-220 PowerMESH | скачать IRF830 лист данных ( datasheet ) от SGS Thomson Microelectronics |
pdf 97 kb |
 | N-CHANNEL 500V - 1.35 ОМА - 4.5ЈA - MOSFET TO-220 POWERMESH | скачать IRF830 лист данных ( datasheet ) от ST Microelectronics |
pdf 270 kb |
 | 4.5ЈA/ 500V/ Mosfet Силы Н-Kanala 1.500 Омов | скачать IRF830 лист данных ( datasheet ) от Intersil |
pdf 60 kb |
 | MOSFETS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNEL ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ | скачать IRF830 лист данных ( datasheet ) от TRSYS |
pdf 273 kb |
| IRF82FI | Посмотреть IRF830 в наш каталог | IRF830-D |