|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
K4E151611D-J изготавливается путем: |
1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 1K цикл обновления. Другие с той же файл данные: K4E171612D-J, K4E171611D-J, K4E151612D-T, K4E151612D-J, K4E151611D-T, |
скачать K4E151611D-J лист данных ( datasheet ) от Samsung Electronic |
pdf 552 kb |
K4E151611D | Посмотреть K4E151611D-J в наш каталог | K4E151611D-T |