|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
K4F151612D-J изготавливается путем: |
1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 3,3 Напряжение, 1K цикл обновления. Другие с той же файл данные: K4F151611D-J, K4F151611D-T, K4F151612D-T, K4F171611D-J, K4F171611D-T, |
скачать K4F151612D-J лист данных ( datasheet ) от Samsung Electronic |
pdf 527 kb |
K4F151612D | Посмотреть K4F151612D-J в наш каталог | K4F151612D-T |