|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
K4F160812D-B изготавливается путем: |
2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 3,3 Напряжение, 2K цикл обновления. Другие с той же файл данные: K4F170812D-F, K4F170812D-B, K4F170811D-F, K4F170811D-B, K4F160812D-F, |
скачать K4F160812D-B лист данных ( datasheet ) от Samsung Electronic |
pdf 228 kb |
K4F160812D | Посмотреть K4F160812D-B в наш каталог | K4F160812D-F |