 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| MMBT4126 изготавливается путем: | 
|
 | -25 V, -200 млн, PNP кремния эпитаксиальный транзистор | скачать MMBT4126 лист данных ( datasheet ) от Samsung Electronic |
pdf 39 kb |
 | ТРАНЗИСТОР ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ СИГНАЛА PNP МАЛЫЙ | скачать MMBT4126 лист данных ( datasheet ) от TRSYS |
pdf 162 kb |
 | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP Общего назначения | скачать MMBT4126 лист данных ( datasheet ) от Fairchild Semiconductor |
pdf 500 kb |
 | 25 V, PNP небольшая поверхность сигнал монтировать транзистор | скачать MMBT4126 лист данных ( datasheet ) от TRANSYS Electronics Limited |
pdf 163 kb |
 | Двухполярные Транзисторы | скачать MMBT4126 лист данных ( datasheet ) от Diodes |
pdf 69 kb |
| MMBT4125 | Посмотреть MMBT4126 в наш каталог | MMBT4126-7 |