 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| MTB4N80E-D изготавливается путем: | 
|
 | Fet D2PAK силы высокой энергии TMOS E-FET для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima Н-Kanala держателя | скачать MTB4N80E-D лист данных ( datasheet ) от ON Semiconductor |
PDF 245 kb |
| MTB4N80E | Посмотреть MTB4N80E-D в наш каталог | MTB4N80E1 |