Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
6001 | HM5164165TT-5 | 64M ОКБ DRAM (4-Mword х 16-битных), 50 нс | Hitachi Semiconductor |
6002 | HM5164165TT-6 | 64M ОКБ DRAM (4-Mword х 16-битных), 60 нс | Hitachi Semiconductor |
6003 | HM5164405FJ-5 | 16M х 4-битный ОКБ DRAM, 50 нс | Hitachi Semiconductor |
6004 | HM5164405FJ-6 | 16M х 4-битный EDO DRAM, 60 нс | Hitachi Semiconductor |
6005 | HM5164405FLJ-5 | 16M х 4-битный ОКБ DRAM, 50 нс | Hitachi Semiconductor |
6006 | HM5164405FLJ-6 | 16M х 4-битный EDO DRAM, 60 нс | Hitachi Semiconductor |
6007 | HM5164405FLTT-5 | 16M х 4-битный ОКБ DRAM, 50 нс | Hitachi Semiconductor |
6008 | HM5164405FLTT-6 | 16M х 4-битный EDO DRAM, 60 нс | Hitachi Semiconductor |
6009 | HM5164405FTT-5 | 16M х 4-битный ОКБ DRAM, 50 нс | Hitachi Semiconductor |
6010 | HM5164405FTT-6 | 16M х 4-битный EDO DRAM, 60 нс | Hitachi Semiconductor |
6011 | HM5165165F | DRAM 64M EDO (4-Mword х
шестнадцатиразрядный) 8k refresh/4k освежает | Hitachi Semiconductor |
6012 | HM5165165FJ-5 | DRAM 64M EDO (4-Mword х
шестнадцатиразрядный) 8k refresh/4k освежает | Hitachi Semiconductor |
6013 | HM5165165FJ-6 | DRAM 64M EDO (4-Mword х
шестнадцатиразрядный) 8k refresh/4k освежает | Hitachi Semiconductor |
6014 | HM5165165FLJ-5 | DRAM 64M EDO (4-Mword х
шестнадцатиразрядный) 8k refresh/4k освежает | Hitachi Semiconductor |
6015 | HM5165165FLJ-6 | DRAM 64M EDO (4-Mword х
шестнадцатиразрядный) 8k refresh/4k освежает | Hitachi Semiconductor |
6016 | HM5165165FLTT-5 | DRAM 64M EDO (4-Mword х
шестнадцатиразрядный) 8k refresh/4k освежает | Hitachi Semiconductor |
6017 | HM5165165FLTT-6 | DRAM 64M EDO (4-Mword х
шестнадцатиразрядный) 8k refresh/4k освежает | Hitachi Semiconductor |
6018 | HM5165165FTT-5 | DRAM 64M EDO (4-Mword х
шестнадцатиразрядный) 8k refresh/4k освежает | Hitachi Semiconductor |
6019 | HM5165165FTT-6 | DRAM 64M EDO (4-Mword х
шестнадцатиразрядный) 8k refresh/4k освежает | Hitachi Semiconductor |
6020 | HM5165165J-5 | 64M ОКБ DRAM (4-Mword х 16-битных), 50 нс | Hitachi Semiconductor |
6021 | HM5165165J-6 | 64M ОКБ DRAM (4-Mword х 16-битных), 60 нс | Hitachi Semiconductor |
6022 | HM5165165LJ-5 | 64M ОКБ DRAM (4-Mword х 16-битных), 50 нс | Hitachi Semiconductor |
6023 | HM5165165LJ-6 | 64M ОКБ DRAM (4-Mword х 16-битных), 60 нс | Hitachi Semiconductor |
6024 | HM5165165LTT-5 | 64M ОКБ DRAM (4-Mword х 16-битных), 50 нс | Hitachi Semiconductor |
6025 | HM5165165LTT-6 | 64M ОКБ DRAM (4-Mword х 16-битных), 60 нс | Hitachi Semiconductor |
6026 | HM5165165TT-5 | 64M ОКБ DRAM (4-Mword х 16-битных), 50 нс | Hitachi Semiconductor |
6027 | HM5165165TT-6 | 64M ОКБ DRAM (4-Mword х 16-битных), 60 нс | Hitachi Semiconductor |
6028 | HM5165405FJ-5 | 16M х 4-битный ОКБ DRAM, 50 нс | Hitachi Semiconductor |
6029 | HM5165405FJ-6 | 16M х 4-битный EDO DRAM, 60 нс | Hitachi Semiconductor |
6030 | HM5165405FLJ-5 | 16M х 4-битный ОКБ DRAM, 50 нс | Hitachi Semiconductor |
6031 | HM5165405FLJ-6 | 16M х 4-битный EDO DRAM, 60 нс | Hitachi Semiconductor |
6032 | HM5165405FLTT-5 | 16M х 4-битный ОКБ DRAM, 50 нс | Hitachi Semiconductor |
6033 | HM5165405FLTT-6 | 16M х 4-битный EDO DRAM, 60 нс | Hitachi Semiconductor |
6034 | HM5165405FTT-5 | 16M х 4-битный ОКБ DRAM, 50 нс | Hitachi Semiconductor |
6035 | HM5165405FTT-6 | 16M х 4-битный EDO DRAM, 60 нс | Hitachi Semiconductor |
6036 | HM51S4260AJ-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÖ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
6037 | HM51S4260AJ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiß оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6038 | HM51S4260AJ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiú оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6039 | HM51S4260ALJ-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÐ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
6040 | HM51S4260ALJ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÖ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
6041 | HM51S4260ALJ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiæ оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6042 | HM51S4260ALRR-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiú оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6043 | HM51S4260ALRR-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiæ оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6044 | HM51S4260ALRR-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÖ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
6045 | HM51S4260ALTT-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiß оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6046 | HM51S4260ALTT-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÈ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
6047 | HM51S4260ALTT-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiõ оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6048 | HM51S4260ALZ-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiï оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6049 | HM51S4260ALZ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamië оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6050 | HM51S4260ALZ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÌ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
6051 | HM51S4260ARR-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiõ оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6052 | HM51S4260ARR-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiú оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6053 | HM51S4260ARR-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiß оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6054 | HM51S4260ATT-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÈ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
6055 | HM51S4260ATT-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÌ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
6056 | HM51S4260ATT-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamië оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6057 | HM51S4260AZ-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiæ оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6058 | HM51S4260AZ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiï оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6059 | HM51S4260AZ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÐ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
6060 | HM51S4260CJ-6 | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiú оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6061 | HM51S4260CJ-6R | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит динамической памяти с произвольным доступом | Hitachi Semiconductor |
6062 | HM51S4260CJ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiß оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6063 | HM51S4260CJ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит динамин оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6064 | HM51S4260CLJ-6 | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÈ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
6065 | HM51S4260CLJ-6R | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamié оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6066 | HM51S4260CLJ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiõ оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6067 | HM51S4260CLJ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÓ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
6068 | HM51S4260CLTT-6 | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamië оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6069 | HM51S4260CLTT-6R | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÌ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
6070 | HM51S4260CLTT-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÊ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
6071 | HM51S4260CLTT-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamié оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6072 | HM51S4260CTT-6 | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÎ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
6073 | HM51S4260CTT-6R | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamií оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6074 | HM51S4260CTT-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiï оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6075 | HM51S4260CTT-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiò оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
6076 | HM51S4800AJ-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6077 | HM51S4800AJ-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6078 | HM51S4800ALJ-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6079 | HM51S4800ALJ-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6080 | HM51S4800ALRR-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6081 | HM51S4800ALRR-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6082 | HM51S4800ALTT-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6083 | HM51S4800ALTT-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6084 | HM51S4800ARR-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6085 | HM51S4800ARR-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6086 | HM51S4800ATT-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6087 | HM51S4800ATT-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6088 | HM51S4800CJ-6 | 60 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6089 | HM51S4800CJ-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6090 | HM51S4800CJ-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6091 | HM51S4800CJI-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6092 | HM51S4800CJI-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6093 | HM51S4800CLJ-6 | 60 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6094 | HM51S4800CLJ-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6095 | HM51S4800CLJ-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6096 | HM51S4800CLJI-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6097 | HM51S4800CLJI-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6098 | HM51S4800CLTT-6 | 60 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6099 | HM51S4800CLTT-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
6100 | HM51S4800CLTT-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| | | |