| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 7701 | HZM7.5N | Zener diode кремния эпитаксиальное плоскостное
для стабилизатора | Hitachi Semiconductor |
| 7702 | HZM8.2N | Zener diode кремния эпитаксиальное плоскостное
для стабилизатора | Hitachi Semiconductor |
| 7703 | HZM9.1N | Zener diode кремния эпитаксиальное плоскостное
для стабилизатора | Hitachi Semiconductor |
| 7704 | HZN6.8ZMFA | Диоды Абсорбциы Пульсации | Hitachi Semiconductor |
| 7705 | HZS | Zener diode кремния эпитаксиальное
плоскостное для стабилизированного источника питания | Hitachi Semiconductor |
| 7706 | HZU-G SERIES | Диоды Абсорбциы Пульсации | Hitachi Semiconductor |
| 7707 | HZU10G | Диоды Абсорбциы Пульсации | Hitachi Semiconductor |
| 7708 | HZU12G | Диоды Абсорбциы Пульсации | Hitachi Semiconductor |
| 7709 | HZU5.1G | Диоды Абсорбциы Пульсации | Hitachi Semiconductor |
| 7710 | HZU5.6G | Диоды Абсорбциы Пульсации | Hitachi Semiconductor |
| 7711 | HZU5.6Z | Диоды Абсорбциы Пульсации | Hitachi Semiconductor |
| 7712 | HZU6.2G | Диоды Абсорбциы Пульсации | Hitachi Semiconductor |
| 7713 | HZU6.2L | Zener diode кремния эпитаксиальное
плоскостное для пульсации поглощает | Hitachi Semiconductor |
| 7714 | HZU6.2Z | Диоды Абсорбциы Пульсации | Hitachi Semiconductor |
| 7715 | HZU6.8G | Диоды Абсорбциы Пульсации | Hitachi Semiconductor |
| 7716 | HZU6.8L | Zener diode кремния эпитаксиальное
плоскостное для пульсации поглощает | Hitachi Semiconductor |
| 7717 | HZU6.8Z | Диоды Абсорбциы Пульсации | Hitachi Semiconductor |
| 7718 | HZU7.5G | Диоды Абсорбциы Пульсации | Hitachi Semiconductor |
| 7719 | HZU8.2G | Диоды Абсорбциы Пульсации | Hitachi Semiconductor |
| 7720 | HZU9.1G | Диоды Абсорбциы Пульсации | Hitachi Semiconductor |
| 7721 | J204077_HA1630S01 | J204077_HA1630S01 | Hitachi Semiconductor |
| 7722 | J205001_HD29026A | Двойные Водители Ccd | Hitachi Semiconductor |
| 7723 | J205027_HD29051 | Двойные дифференциальные водители линии/приемники с
выходами 3-state | Hitachi Semiconductor |
| 7724 | J205249_HD74LV1G00A | Строб 2Јinput Nand | Hitachi Semiconductor |
| 7725 | J205293_HD74HC1G14 | Инвертор с входным сигналом Schmitttrigger | Hitachi Semiconductor |
| 7726 | J205557_HD74ALVC1G07 | Одиночные буфер/водитель с открытым стоком | Hitachi Semiconductor |
| 7727 | J2081535_H5N2509P | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Mosfet КАНАЛА Н КРЕМНИЯ | Hitachi Semiconductor |
| 7728 | LM032L | ЖК модуль 20 символов х 2 строки | Hitachi Semiconductor |
| 7729 | LM032XMBL | ЖК модуль 20 символов х 2 строки | Hitachi Semiconductor |
| 7730 | LM64P832 | СПЕЦИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ СТЫКА | Hitachi Semiconductor |
| 7731 | LM64P832 | СПЕЦИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ СТЫКА | Hitachi Semiconductor |
| 7732 | LM64P839 | СПЕЦИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ СТЫКА | Hitachi Semiconductor |
| 7733 | LM64P839 | СПЕЦИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ СТЫКА | Hitachi Semiconductor |
| 7734 | LMG5278XUFC-00T | СПЕЦИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ СТЫКА | Hitachi Semiconductor |
| 7735 | LMG5278XUFC-00T | СПЕЦИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ СТЫКА | Hitachi Semiconductor |
| 7736 | LV74 | Двойные flops flip Д-tipa с заранее
ставят и освобождаются | Hitachi Semiconductor |
| 7737 | LV86 | Квад. 2-input Исключительн-Ili стробы с
выходом открытого сборника | Hitachi Semiconductor |
| 7738 | M51132FP | 550mW; V (см): 15.5V; 40 мА; 2-канальный электронный баланс громкости. Для аудио-визуального оборудования | Hitachi Semiconductor |
| 7739 | M51132L | 800mW; V (см): 15.5V; 40 мА; 2-канальный электронный баланс громкости. Для аудио-визуального оборудования | Hitachi Semiconductor |
| 7740 | M51326P | V (см): 14 В; V (в): 6В; 1.25W; аналоговый ключ. Для видеооборудования | Hitachi Semiconductor |
| 7741 | M51348AVP | 7.5; 360mW; ВИФ / SIF для низкого напряжения питания. Для портативных ч / б, цветной телевизор | Hitachi Semiconductor |
| 7742 | M52957AFP | Обработка сигнала обнаружения расстояния для блка
напряжения 3V | Hitachi Semiconductor |
| 7743 | M5M5J167KT | ШТОССЕЛЬ 64K cmos СТАТИЧЕСКИЙ (64K х
1-BIT) | Hitachi Semiconductor |
| 7744 | M61006FP | ОБРАБОТКА СИГНАЛА ОБНАРУЖЕНИЯ РАССТОЯНИЯ ДЛЯ БЛКА
НАПРЯЖЕНИЯ 3 В | Hitachi Semiconductor |
| 7745 | M61111FP | Svernite спиралью-менее VIF/SIF | Hitachi Semiconductor |
| 7746 | M61538FP | Электронный Том 6-Channel | Hitachi Semiconductor |
| 7747 | M61540FP | электронный том 6ch с 5 input селектором | Hitachi Semiconductor |
| 7748 | MBB100A6 | РЯД МОДУЛЯ IGBT С МЯГКИМИ И БЫСТРЫМИ (SFD)
FREE-WHEELING ДИОДАМИ | Hitachi Semiconductor |
| 7749 | MBB50A6 | РЯД МОДУЛЯ IGBT С МЯГКИМИ И БЫСТРЫМИ (SFD)
FREE-WHEELING ДИОДАМИ | Hitachi Semiconductor |
| 7750 | MBB50F12 | РЯД МОДУЛЯ IGBT С МЯГКИМИ И БЫСТРЫМИ (SFD)
FREE-WHEELING ДИОДАМИ | Hitachi Semiconductor |
| 7751 | MBB75A6 | РЯД МОДУЛЯ IGBT С МЯГКИМИ И БЫСТРЫМИ (SFD)
FREE-WHEELING ДИОДАМИ | Hitachi Semiconductor |
| 7752 | MBM100A6 | РЯД МОДУЛЯ IGBT С МЯГКИМИ И БЫСТРЫМИ (SFD)
FREE-WHEELING ДИОДАМИ | Hitachi Semiconductor |
| 7753 | MBM100F12 | РЯД МОДУЛЯ IGBT С МЯГКИМИ И БЫСТРЫМИ (SFD)
FREE-WHEELING ДИОДАМИ | Hitachi Semiconductor |
| 7754 | MBM150A6 | РЯД МОДУЛЯ IGBT С МЯГКИМИ И БЫСТРЫМИ (SFD)
FREE-WHEELING ДИОДАМИ | Hitachi Semiconductor |
| 7755 | MBM150F12 | РЯД МОДУЛЯ IGBT С МЯГКИМИ И БЫСТРЫМИ (SFD)
FREE-WHEELING ДИОДАМИ | Hitachi Semiconductor |
| 7756 | MBM200A6 | РЯД МОДУЛЯ IGBT С МЯГКИМИ И БЫСТРЫМИ (SFD)
FREE-WHEELING ДИОДАМИ | Hitachi Semiconductor |
| 7757 | MBM300A6 | РЯД МОДУЛЯ IGBT С МЯГКИМИ И БЫСТРЫМИ (SFD)
FREE-WHEELING ДИОДАМИ | Hitachi Semiconductor |
| 7758 | MBM50A6 | РЯД МОДУЛЯ IGBT С МЯГКИМИ И БЫСТРЫМИ (SFD)
FREE-WHEELING ДИОДАМИ | Hitachi Semiconductor |
| 7759 | MBM50F12 | РЯД МОДУЛЯ IGBT С МЯГКИМИ И БЫСТРЫМИ (SFD)
FREE-WHEELING ДИОДАМИ | Hitachi Semiconductor |
| 7760 | MBM75A6 | РЯД МОДУЛЯ IGBT С МЯГКИМИ И БЫСТРЫМИ (SFD)
FREE-WHEELING ДИОДАМИ | Hitachi Semiconductor |
| 7761 | MBM75F12 | РЯД МОДУЛЯ IGBT С МЯГКИМИ И БЫСТРЫМИ (SFD)
FREE-WHEELING ДИОДАМИ | Hitachi Semiconductor |
| 7762 | MBN200A6 | РЯД МОДУЛЯ IGBT С МЯГКИМИ И БЫСТРЫМИ (SFD)
FREE-WHEELING ДИОДАМИ | Hitachi Semiconductor |
| 7763 | MBN200F12 | РЯД МОДУЛЯ IGBT С МЯГКИМИ И БЫСТРЫМИ (SFD)
FREE-WHEELING ДИОДАМИ | Hitachi Semiconductor |
| 7764 | MBN300F12 | РЯД МОДУЛЯ IGBT С МЯГКИМИ И БЫСТРЫМИ (SFD)
FREE-WHEELING ДИОДАМИ | Hitachi Semiconductor |
| 7765 | MBN400A6 | РЯД МОДУЛЯ IGBT С МЯГКИМИ И БЫСТРЫМИ (SFD)
FREE-WHEELING ДИОДАМИ | Hitachi Semiconductor |
| 7766 | MEJ02C2016_M5M5J167KT | ШТОССЕЛЬ 64K cmos СТАТИЧЕСКИЙ (64K х
1-BIT) | Hitachi Semiconductor |
| 7767 | NAV-DS4 | SH Graphics/Speech Обрабатывая Систему
NAV-DS4 Демонстрации, Примечание по применению | Hitachi Semiconductor |
| 7768 | ON4959 | Цепь силы с ON4959 | Hitachi Semiconductor |
| 7769 | PF00105A | Модуль усилителя силы fet mos для телефона
амперов сподручного | Hitachi Semiconductor |
| 7770 | PF0030 | Модуль усилителя силы fet mos для E-GSM
и DCS1800 удваивают телефон полосы сподручный | Hitachi Semiconductor |
| 7771 | PF0031 | V (дд): 17В; Я (дд): 3A; 20mW; MOSFET модуль усилителя мощности для мобильных телефонов | Hitachi Semiconductor |
| 7772 | PF0032 | Модуль усилителя силы fet mos для E-GSM
и DCS1800 удваивают телефон полосы сподручный | Hitachi Semiconductor |
| 7773 | PF0121 | Модуль усилителя силы fet mos для мобильного
телефона gsm | Hitachi Semiconductor |
| 7774 | PF0140 | МОДУЛЬ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ MOSFET ДЛЯ ТЕЛЕФОНА
GSM СПОДРУЧНОГО | Hitachi Semiconductor |
| 7775 | PF01410 | Модуль усилителя силы fet mos для телефона
gsm сподручного | Hitachi Semiconductor |
| 7776 | PF01410A | Модуль усилителя силы fet mos для телефона
gsm сподручного | Hitachi Semiconductor |
| 7777 | PF01411 | Модуль усилителя силы fet mos для телефона
E-GSM сподручного | Hitachi Semiconductor |
| 7778 | PF01411A | Модуль усилителя силы fet mos для телефона
E-GSM сподручного | Hitachi Semiconductor |
| 7779 | PF01411B | Модуль усилителя силы fet mos для телефона
E-GSM сподручного | Hitachi Semiconductor |
| 7780 | PF01412 | Модуль усилителя силы fet mos для телефона
E-GSM сподручного | Hitachi Semiconductor |
| 7781 | PF01412A | Модуль усилителя силы fet mos для телефона
E-GSM сподручного | Hitachi Semiconductor |
| 7782 | PF0210 | Модуль усилителя силы fet mos для мобильного
телефона adc | Hitachi Semiconductor |
| 7783 | PF0310A | Модуль усилителя силы fet mos для полосы
vhf | Hitachi Semiconductor |
| 7784 | PF0311 | Модуль усилителя силы fet mos для полосы
vhf | Hitachi Semiconductor |
| 7785 | PF0313 | Модуль усилителя силы fet mos для полосы
vhf | Hitachi Semiconductor |
| 7786 | PF0314 | Модуль усилителя силы fet mos для полосы
vhf | Hitachi Semiconductor |
| 7787 | PF0340A | Модуль усилителя силы fet mos для E-GSM
и DCS1800 удваивают телефон полосы сподручный | Hitachi Semiconductor |
| 7788 | PF0414 | Модуль усилителя силы fet mos для телефона
DCS 1800 сподручного | Hitachi Semiconductor |
| 7789 | PF0414A | Модуль усилителя силы fet mos для телефона
DCS 1800 сподручного | Hitachi Semiconductor |
| 7790 | PF0414B | Модуль усилителя силы fet mos для телефона
DCS 1800 сподручного | Hitachi Semiconductor |
| 7791 | PF0415 | Модуль усилителя силы fet mos для телефона
pcs 1900 сподручного | Hitachi Semiconductor |
| 7792 | PF0415A | Модуль усилителя силы fet mos для телефона
pcs 1900 сподручного | Hitachi Semiconductor |
| 7793 | PF08103A | Модуль усилителя силы fet mos для
E-GSM900 и DCS1800 удваивают телефон полосы сподручный | Hitachi Semiconductor |
| 7794 | PF08103B | Модуль усилителя силы fet mos для
E-GSM900 и DCS1800 удваивают телефон полосы сподручный | Hitachi Semiconductor |
| 7795 | PF1010A | Модуль усилителя силы fet mos для lan
P/C | Hitachi Semiconductor |
| 7796 | PM45502C | V (DSS): 450V; 300W; Silicon Power N-канальный модуль MOS FET. Для высокоскоростного переключения питания | Hitachi Semiconductor |
| 7797 | PM50502C | Высокоскоростное Переключение Силы | Hitachi Semiconductor |
| 7798 | R1LP0408C | Широкий Вариант 4 М SRAM Температурной амплитуды
(Щй2-Щй2-кшорд 8Ые-разрядн) | Hitachi Semiconductor |
| 7799 | R1LP0408CSB-5SI | Широкий Вариант 4 М SRAM Температурной амплитуды
(Щй2-Щй2-кшорд 8Ые-разрядн) | Hitachi Semiconductor |
| 7800 | R1LP0408CSB-7LI | Широкий Вариант 4 М SRAM Температурной амплитуды
(Щй2-Щй2-кшорд 8Ые-разрядн) | Hitachi Semiconductor |
| | | |
