|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29056 | 29057 | 29058 | 29059 | 29060 | 29061 | 29062 | 29063 | 29064 | 29065 | 29066 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1162401STB11NM60A-1MOSFET СИЛЫ ОМА 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDMESH N-CHANNEL 600V 0.4SGS Thomson Microelectronics
1162402STB11NM60FDN-CHANNEL 600V - 0.40 ОМА - MOSFET 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK/D2PAK FDMESH (С БЫСТРЫМ ДИОДОМ)ST Microelectronics
1162403STB11NM60FD-1N-CHANNEL 600V - 0.40 ОМА - MOSFET 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK/D2PAK FDMESH (С БЫСТРЫМ ДИОДОМ)ST Microelectronics
1162404STB11NM60FDT4N-CHANNEL 600V - 0.40 ОМА - MOSFET 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK/D2PAK FDMESH (С БЫСТРЫМ ДИОДОМ)ST Microelectronics
1162405STB11NM60T4Н-Kanal 600V - 0.4ЈOhm - Mosfet СИЛЫ 11A™ TO-220 MDmeshST Microelectronics
1162406STB11NM80N-CHANNEL 800 В - 0.35 ОМА - 11 Mosfet СИЛЫ TO-220/D2PAK MDMESHST Microelectronics
1162407STB11NM80T4N-CHANNEL 800 В - 0.35 ОМА - 11 Mosfet А TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247 MDMESHST Microelectronics
1162408STB120N4F6N-канальный 40 В, 3,5 мОм, 80, D2PAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFETST Microelectronics
1162409STB120N4LF6N-канальный 40 В, 3,1 мОм, 80, D2PAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFETST Microelectronics
1162410STB120NF10N-CHANNEL 100V - 0.009 ОМА - MOSFET СИЛЫ 120A D2PAK/TO-220 STRIPFET IIST Microelectronics
1162411STB120NF10T4N-CHANNEL 100V - 0.009 ОМА - MOSFET СИЛЫ 120A D2PAK/TO-220 STRIPFET IIST Microelectronics
1162412STB120NH03LN-CHANNEL 30V - 0.005 ОМА - MOSFET СИЛЫ 60A D2PAK STRIPFET III ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ DC-DCST Microelectronics
1162413STB120NH03LT4N-CHANNEL 30V - 0.005 ОМА - MOSFET СИЛЫ 60A D2PAK STRIPFET III ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ DC-DCST Microelectronics
1162414STB1277Транзистор Кремния PNPAUK Corp
1162415STB1277LТранзистор Кремния PNPAUK Corp
1162416STB12NK80ZMOSFET СИЛЫ ОМА 10.5ЈA TO-220/D2PAK/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH N-CHANNEL 800V 0.65ST Microelectronics
1162417STB12NK80Z-SN-CHANNEL 800V - 0.65 ОМА - MOSFET 10.5ЈA I2SPAK ZENER-PROTECTED™ SUPERMESHST Microelectronics
1162418STB12NK80ZT4MOSFET СИЛЫ ОМА 10.5ЈA TO-220/D2PAK/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH N-CHANNEL 800V 0.65ST Microelectronics
1162419STB12NM50N-CHANNEL 500V - 0.30 ОМА - MOSFET СИЛЫ 12ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESHST Microelectronics
1162420STB12NM50MOSFET СИЛЫ ОМА 12ЈA D2PAK MDMESH N-CHANNEL 500V 0.35SGS Thomson Microelectronics
1162421STB12NM50-1N-CHANNEL 500V - 0.30 ОМА - MOSFET СИЛЫ 12ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESHST Microelectronics
1162422STB12NM50-1N-CHANNEL 500V - 0.3W - Mosfet Силы 12ЈA TO-220/TO-220FP/I PAK MdmeshSGS Thomson Microelectronics
1162423STB12NM50-1MOSFET СИЛЫ N-CHANNEL 500V 0.3ЈOHM 12ЈA TO-220/TO-220FP/I2PAK MDMESHSGS Thomson Microelectronics
1162424STB12NM50FDMOSFET СИЛЫ ОМА 12ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDMESH N-CHANNEL 500V 0.32ST Microelectronics
1162425STB12NM50FDMOSFET СИЛЫ ОМА 12ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDMESH N-CHANNEL 500V 0.32SGS Thomson Microelectronics
1162426STB12NM50FD-1MOSFET СИЛЫ ОМА 12ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDMESH N-CHANNEL 500V 0.32ST Microelectronics
1162427STB12NM50FD-1MOSFET СИЛЫ ОМА 12ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDMESH N-CHANNEL 500V 0.32SGS Thomson Microelectronics
1162428STB12NM50FDT4MOSFET СИЛЫ ОМА 12ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDMESH N-CHANNEL 500V 0.32ST Microelectronics
1162429STB12NM50NDN-канальный 500 В, 0,29 Ом тип., 11 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162430STB12NM50T4N-CHANNEL 500V - 0.30 ОМА - MOSFET СИЛЫ 12ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESHST Microelectronics
1162431STB13005ST Microelectronics
1162432STB13005-1ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ FAST-SWITCHING NPNST Microelectronics
1162433STB13005-1SGS Thomson Microelectronics
1162434STB13005-1SGS Thomson Microelectronics
1162435STB13007DT4Высокое напряжение быстрой коммутации NPN транзистор питанияST Microelectronics
1162436STB130NH02LN-CHANNEL 24V - 0.0034 ОМА - MOSFET СИЛЫ 120A D2PAK STRIPFET III ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ DC-DCST Microelectronics
1162437STB130NH02LN-CHANNEL 24 - 0,0034 Ом - 120A D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1162438STB130NH02LT4N-CHANNEL 24V - 0.0034 ОМА - MOSFET СИЛЫ 120A D2PAK STRIPFET III ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ DC-DCST Microelectronics
1162439STB130NS04ZBN-CHANNEL ЗАЖАЛО - 8MOHM - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 80A TO-220/TO-247 ПОЛЬНОСТЬЮ ЗАЩИЩЕННЫЙST Microelectronics
1162440STB130NS04ZBT4N-CHANNEL ЗАЖАЛО - 8MOHM - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 80A TO-220/TO-247 ПОЛЬНОСТЬЮ ЗАЩИЩЕННЫЙST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29056 | 29057 | 29058 | 29059 | 29060 | 29061 | 29062 | 29063 | 29064 | 29065 | 29066 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com