|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29058 | 29059 | 29060 | 29061 | 29062 | 29063 | 29064 | 29065 | 29066 | 29067 | 29068 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1162481STB15NM60NDN-канальный 600 V - 0,27 Ом - 14 - FDmesh II Мощность MOSFET D2PAK - Power MOSFETST Microelectronics
1162482STB160N75F3N-канальный 75 В, 3,2 мОм ном., 120 STripFET (TM) Мощность MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162483STB160NF02LN-CHANNEL 20V - 0.0018 ОМА - MOSFET СИЛЫ 160A D2PAK STRIPFETST Microelectronics
1162484STB160NF02LN-CHANNEL 20V - 0.0018 ОМА - MOSFET СИЛЫ 160A D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1162485STB160NF03LN-CHANNEL 30V 0.0021 ОМА - MOSFET СИЛЫ 160A D2PAK STRIPFETST Microelectronics
1162486STB160NF03LN-CHANNEL 30V 0.0021 ОМА - MOSFET СИЛЫ 160A D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1162487STB160NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.0026 ОМА - MOSFET СИЛЫ 160A D2PAK STRIPFET IIST Microelectronics
1162488STB160NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.0026 ОМА - MOSFET СИЛЫ 160A D2PAK STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
1162489STB160NF3LLT4N-CHANNEL 30V - 0.0026 ОМА - MOSFET СИЛЫ 160A D2PAK STRIPFET IIST Microelectronics
1162490STB16N65M5N-канальный 650 В, 0,230 Ом, 12 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в D2PAKST Microelectronics
1162491STB16NB25Н - КАНАЛ 250V - 0.220Ohm - 16ЈA - Mosfet TO-263 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1162492STB16NF06LN-CHANNEL 60V - 0.07 ОМА - MOSFET СИЛЫ 16ЈA D2PAK STRIPFETST Microelectronics
1162493STB16NF06LN-CHANNEL 60V - 0.07 ОМА - MOSFET СИЛЫ 16ЈA D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1162494STB16NF06LT4N-CHANNEL 60V - 0.07 ОМА - MOSFET СИЛЫ 16ЈA D2PAK STRIPFETST Microelectronics
1162495STB16NK60Z-SN-CHANNEL 600V - 0.38 Ома - 14ЈA TO-220/I2SPAK/Zener-$$ET-Za5i5enny1 TO-247 Mosfet™ SuperMESHST Microelectronics
1162496STB16NK65Z-SN-CHANNEL 650 В - 0.38 Ома - 13 Зенер-Za5i5enny1 TO-220/ISPAK Mosfet™ SuperMESHST Microelectronics
1162497STB16NS25N-CHANNEL 250V - 0.23 ОМА - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 16ЈA D2PAKST Microelectronics
1162498STB16NS25MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 16ЈA D2PAK N-CHANNEL 250V 0.23SGS Thomson Microelectronics
1162499STB16NS25T4N-CHANNEL 250V - 0.23 ОМА - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 16ЈA D2PAKST Microelectronics
1162500STB16PF06LP-CHANNEL 60V - 0.11 Ома - Mosfet 16ЈA D2PAK STripFETST Microelectronics
1162501STB16PF06LT4P-CHANNEL 60V - 0.11 Ома - Mosfet 16ЈA D2PAK STripFETST Microelectronics
1162502STB170NF04N-канальный 40 В, 4,4 мОм ном., 80 STripFET (TM) II Мощность MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162503STB185N55F3N-канальный 55 В, 3,2 мОм ном., 120 STripFET (TM) Мощность MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162504STB18N20СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1162505STB18N20СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1162506STB18N20Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1162507STB18N55M5N-канальный 550 В, 0,150 Ом тип., 16, MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162508STB18N60M2N-канальный 600 В, 0,255 Ом тип., 13 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162509STB18N65M5N-канальный 650 В, 0,198 Ом тип., 15 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162510STB18NF25N-канальный 250 В, 0,14 Ом, 17 низкая заряд затвора STripFET (TM) II Мощность MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162511STB18NF30Автомобильная класса N-канальный 330 В, 160 мОм ном., 18 STripFET (TM) II Мощность MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162512STB18NM60NDN-канальный 600 В, 0,25 Ом тип., 13 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162513STB18NM80N-канальный 800 В, 0,25 Ом, 17, MDmesh (TM) Мощность MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162514STB190NF04N-CHANNEL 40V - mOhm 3.9 - mosfet СИЛЫ 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET IIST Microelectronics
1162515STB190NF04/-1N-CHANNEL 40V - 3.9 mW - mosfet СИЛЫ 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET IIST Microelectronics
1162516STB190NF04/-1N-CHANNEL 40V - 3.9 mW - mosfet СИЛЫ 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET IIST Microelectronics
1162517STB190NF04T4N-CHANNEL 40V - mOhm 3.9 - mosfet СИЛЫ 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET IIST Microelectronics
1162518STB19NB20N-CHANNEL 200V - 0.150 ОМА - MOSFET 19A D2PAK POWERMESHST Microelectronics
1162519STB19NB20N-CHANNEL 200V - 0.150 ОМА - MOSFET 19A D2PAK POWERMESHSGS Thomson Microelectronics
1162520STB19NB20Н - Mosfet PowerMESH РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29058 | 29059 | 29060 | 29061 | 29062 | 29063 | 29064 | 29065 | 29066 | 29067 | 29068 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com