Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
1162481 | STB15NM60ND | N-канальный 600 V - 0,27 Ом - 14 - FDmesh II Мощность MOSFET D2PAK - Power MOSFET | ST Microelectronics |
1162482 | STB160N75F3 | N-канальный 75 В, 3,2 мОм ном., 120 STripFET (TM) Мощность MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
1162483 | STB160NF02L | N-CHANNEL 20V - 0.0018 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 160A D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
1162484 | STB160NF02L | N-CHANNEL 20V - 0.0018 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 160A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
1162485 | STB160NF03L | N-CHANNEL 30V 0.0021 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 160A D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
1162486 | STB160NF03L | N-CHANNEL 30V 0.0021 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 160A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
1162487 | STB160NF3LL | N-CHANNEL 30V - 0.0026 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 160A D2PAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
1162488 | STB160NF3LL | N-CHANNEL 30V - 0.0026 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 160A D2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
1162489 | STB160NF3LLT4 | N-CHANNEL 30V - 0.0026 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 160A D2PAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
1162490 | STB16N65M5 | N-канальный 650 В, 0,230 Ом, 12 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в D2PAK | ST Microelectronics |
1162491 | STB16NB25 | Н - КАНАЛ 250V - 0.220Ohm - 16ЈA -
Mosfet TO-263 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
1162492 | STB16NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.07 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 16ЈA D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
1162493 | STB16NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.07 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 16ЈA D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
1162494 | STB16NF06LT4 | N-CHANNEL 60V - 0.07 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 16ЈA D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
1162495 | STB16NK60Z-S | N-CHANNEL 600V - 0.38 Ома - 14ЈA
TO-220/I2SPAK/Zener-$$ET-Za5i5enny1 TO-247 Mosfet SuperMESH | ST Microelectronics |
1162496 | STB16NK65Z-S | N-CHANNEL 650 В - 0.38 Ома - 13
Зенер-Za5i5enny1 TO-220/ISPAK Mosfet SuperMESH | ST Microelectronics |
1162497 | STB16NS25 | N-CHANNEL 250V - 0.23 ОМА - MOSFET
ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 16ЈA D2PAK | ST Microelectronics |
1162498 | STB16NS25 | MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 16ЈA
D2PAK N-CHANNEL 250V 0.23 | SGS Thomson Microelectronics |
1162499 | STB16NS25T4 | N-CHANNEL 250V - 0.23 ОМА - MOSFET
ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 16ЈA D2PAK | ST Microelectronics |
1162500 | STB16PF06L | P-CHANNEL 60V - 0.11 Ома - Mosfet
16ЈA D2PAK STripFET | ST Microelectronics |
1162501 | STB16PF06LT4 | P-CHANNEL 60V - 0.11 Ома - Mosfet
16ЈA D2PAK STripFET | ST Microelectronics |
1162502 | STB170NF04 | N-канальный 40 В, 4,4 мОм ном., 80 STripFET (TM) II Мощность MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
1162503 | STB185N55F3 | N-канальный 55 В, 3,2 мОм ном., 120 STripFET (TM) Мощность MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
1162504 | STB18N20 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1162505 | STB18N20 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1162506 | STB18N20 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
1162507 | STB18N55M5 | N-канальный 550 В, 0,150 Ом тип., 16, MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
1162508 | STB18N60M2 | N-канальный 600 В, 0,255 Ом тип., 13 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
1162509 | STB18N65M5 | N-канальный 650 В, 0,198 Ом тип., 15 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
1162510 | STB18NF25 | N-канальный 250 В, 0,14 Ом, 17 низкая заряд затвора STripFET (TM) II Мощность MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
1162511 | STB18NF30 | Автомобильная класса N-канальный 330 В, 160 мОм ном., 18 STripFET (TM) II Мощность MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
1162512 | STB18NM60ND | N-канальный 600 В, 0,25 Ом тип., 13 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
1162513 | STB18NM80 | N-канальный 800 В, 0,25 Ом, 17, MDmesh (TM) Мощность MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
1162514 | STB190NF04 | N-CHANNEL 40V - mOhm 3.9 -
mosfet СИЛЫ 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET
II | ST Microelectronics |
1162515 | STB190NF04/-1 | N-CHANNEL 40V - 3.9 mW -
mosfet СИЛЫ 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET
II | ST Microelectronics |
1162516 | STB190NF04/-1 | N-CHANNEL 40V - 3.9 mW -
mosfet СИЛЫ 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET
II | ST Microelectronics |
1162517 | STB190NF04T4 | N-CHANNEL 40V - mOhm 3.9 -
mosfet СИЛЫ 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET
II | ST Microelectronics |
1162518 | STB19NB20 | N-CHANNEL 200V - 0.150 ОМА - MOSFET
19A D2PAK POWERMESH | ST Microelectronics |
1162519 | STB19NB20 | N-CHANNEL 200V - 0.150 ОМА - MOSFET
19A D2PAK POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
1162520 | STB19NB20 | Н - Mosfet PowerMESH РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |