| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1162561 | STB20NM60D | N-канальный 600V - 0.26Y - 20A - D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162562 | STB20NM60T4 | N-CHANNEL 600V - 0.25 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESH | ST Microelectronics |
| 1162563 | STB20PF75 | P-CHANNEL 75V - 0.10 ОМА - Mosfet
СИЛЫ 20A™DPAK STripFET II | ST Microelectronics |
| 1162564 | STB20PF75T4 | P-CHANNEL 75V - 0.10 ОМА - Mosfet
СИЛЫ 20A™DPAK STripFET II | ST Microelectronics |
| 1162565 | STB210NF02 | N-CHANNEL 20V - 0.0026 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162566 | STB210NF02 | N-CHANNEL 20V - 0.0026 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162567 | STB210NF02-1 | N-CHANNEL 20V - 0.0026 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162568 | STB210NF02-1 | N-CHANNEL 20V - 0.0026 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162569 | STB210NF02T4 | N-CHANNEL 20V - 0.0026 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162570 | STB21N65M5 | N-канальный 650 В, 0,150 Ом, 17 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162571 | STB21N90K5 | N-канальный 900 В, 0,25 Ом, 18,5 D2PAK стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1162572 | STB21NK50Z | N-канальный 500 V - 0,23 Y - 17 - D2PAK стабилитрон с защитой superMESHTM MOSFET | ST Microelectronics |
| 1162573 | STB21NM60ND | N-канальный 600 В, 0,17 Ом тип., 17, FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (ничуть быстро диод) в D2PAK пакет | ST Microelectronics |
| 1162574 | STB22NE03L | N-CHANNEL 30V - 0.034 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 22ЈA D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1162575 | STB22NE03L | N-CHANNEL 30V - 0.034 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 22ЈA D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162576 | STB22NE03L | Н - КАНАЛ 30V - 0.034 Ома - Mosfet
СИЛЫ 22ЈA TO-263 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162577 | STB22NM50 | N-CHANNEL 500 В - 0.16 ОМА - 20
Mosfet СИЛЫ TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH | ST Microelectronics |
| 1162578 | STB22NM50-1 | N-CHANNEL 500 В - 0.16 ОМА - 20
Mosfet СИЛЫ TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH | ST Microelectronics |
| 1162579 | STB22NM60 | N-CHANNEL 600 В - 0.19 ОМА - 22
Mosfet СИЛЫ TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH | ST Microelectronics |
| 1162580 | STB22NM60-1 | N-CHANNEL 600 В - 0.19 ОМА - 22
Mosfet СИЛЫ TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH | ST Microelectronics |
| 1162581 | STB22NM60N | N-канальный 600 В, 0,2 Ом, 16 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162582 | STB22NS25Z | ОМ 22ЈA TO-220 N-CHANNEL 250V
0.13/$$ET-MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ D2PAK
ZENER-PROTECTED | ST Microelectronics |
| 1162583 | STB22NS25ZT4 | ОМ 22ЈA TO-220 N-CHANNEL 250V
0.13/$$ET-MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ D2PAK
ZENER-PROTECTED | ST Microelectronics |
| 1162584 | STB23NM50N | N-канальный 500 В, 0,162 Ом, 17, D2PAK MDmesh (TM) II Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1162585 | STB23NM60ND | N-канальный 600 В, 0,150 Ом, 19,5, FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162586 | STB24N60DM2 | N-канальный 600 В, 0,175 Ом тип., 18 FDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
| 1162587 | STB24N60M2 | N-канальный 600 В, 0,168 Ом тип., 18 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
| 1162588 | STB24NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.055 ОМА - 26ЈA
TO-220/$$ET-MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА
D2PAK НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1162589 | STB24NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.07 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 24ЈA D2PAK НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162590 | STB24NF10 | Н - КАНАЛ 100V - 0.07Ohm - Mosfet
СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 24ЈA TO-263 НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162591 | STB24NF10T4 | N-CHANNEL 100V - 0.055 ОМА - 26ЈA
TO-220/$$ET-MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА
D2PAK НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1162592 | STB24NM60N | N-канальный 600 В, 0,168 Ом, 17 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162593 | STB24NM65N | N-канальный 650 V - 0,16 Y - 19 - К-220 / FP - D2 / I2PAK - TO-247 второго поколения MDmesh ™ на MOSFET | ST Microelectronics |
| 1162594 | STB25N80K5 | N-канальный 800 В, 0,19 Ом тип., 19,5 SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
| 1162595 | STB25NM50N | N-CHANNEL 550V @ TjMAX - 0.12 Ома -
21.5 Mosfet MDmesh ПОКОЛЕНИЯ А
TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ВТОРОГО | ST Microelectronics |
| 1162596 | STB25NM50N-1 | N-CHANNEL 550V @ TjMAX - 0.12 Ома -
21.5 Mosfet MDmesh ПОКОЛЕНИЯ А
TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ВТОРОГО | ST Microelectronics |
| 1162597 | STB25NM50NT4 | N-CHANNEL 550V @ TjMAX - 0.12 Ома -
21.5 Mosfet MDmesh ПОКОЛЕНИЯ А
TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ВТОРОГО | ST Microelectronics |
| 1162598 | STB25NM60N | Mosfet MDmesh ПОКОЛЕНИЯ N-CHANNEL
650 @Tjmax-0.140&-20A
TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ВТОРОГО | ST Microelectronics |
| 1162599 | STB25NM60N-1 | Mosfet MDmesh ПОКОЛЕНИЯ N-CHANNEL
650 @Tjmax-0.140&-20A
TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ВТОРОГО | ST Microelectronics |
| 1162600 | STB25NM60ND | N-канальный 600 В, 0,13 Ом тип., 21 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
| | | |
