| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1162801 | STB60N06-14 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1162802 | STB60N06-14 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162803 | STB60N06-14 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162804 | STB60NE03L-10 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1162805 | STB60NE03L-10 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162806 | STB60NE03L-10 | Н - Mosfet РАЗМЕРА ] ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМА
?INGLE ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА ?OWER | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162807 | STB60NE03L-12 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1162808 | STB60NE03L-12 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162809 | STB60NE03L-12 | Н - КАНАЛ 30V - 0.009 Ома - 60A -
РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ Д 2 PAK "Mosfet СИЛЫ ОДИНОЧНОГО" | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162810 | STB60NE06-1 | Н - Mosfet СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА ОДИНОЧНЫЙ | ST Microelectronics |
| 1162811 | STB60NE06-1 | Н - Mosfet СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА ОДИНОЧНЫЙ | ST Microelectronics |
| 1162812 | STB60NE06-16 | N-CHANNEL 60V - 0.013 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 60A D2PAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162813 | STB60NE06-16 | N-CHANNEL 60V - 0.013 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 60A D2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162814 | STB60NE06-16 | Н - Mosfet РАЗМЕРА ?OWER ХАРАКТЕРИСТИКИ
РЕЖИМА ?INGLE ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162815 | STB60NE06L-16 | N-CHANNEL 60V - 0.014 OMH -
MOSFET СИЛЫ 60A D2PAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162816 | STB60NE06L-16 | N-CHANNEL 60V - 0.014 OMH -
MOSFET СИЛЫ 60A D2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162817 | STB60NE06L-16 | Н - КАНАЛ 60V - 0.014 Ома - Mosfet
СИЛЫ 60A Д 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162818 | STB60NE06L-16T4 | N-CHANNEL 60V - 0.014 OMH -
MOSFET СИЛЫ 60A D2PAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162819 | STB60NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.008 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 60A D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1162820 | STB60NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.008 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 60A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162821 | STB60NF03L | Н - КАНАЛ 30V - 0.008 Ома - Mosfet
СИЛЫ 60A Д 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162822 | STB60NF06 | MOSFET СИЛЫ ОМА 60A D2PAK STRIPFET
N-CHANNEL 60V 0.014 | ST Microelectronics |
| 1162823 | STB60NF06 | MOSFET СИЛЫ ОМА 60A D2PAK STRIPFET
N-CHANNEL 60V 0.014 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162824 | STB60NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.014 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 60A D2PAK/TO-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162825 | STB60NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.014 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 60A D2PAK/TO-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162826 | STB60NF06LT4 | N-CHANNEL 60V - 0.012 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 60A D2PAK/TO-220/TO-220FP STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162827 | STB60NF06T4 | MOSFET СИЛЫ ОМА 60A D2PAK STRIPFET
N-CHANNEL 60V 0.014 | ST Microelectronics |
| 1162828 | STB60NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.019Јohm - Mosfet
СИЛЫ 80A D2PAK/TO-220 STripFET II | ST Microelectronics |
| 1162829 | STB60NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.019Јohm - Mosfet
СИЛЫ 80A D2PAK/TO-220 STripFET II | ST Microelectronics |
| 1162830 | STB60NF10T4 | N-CHANNEL 100V - 0.019Јohm - Mosfet
СИЛЫ 80A D2PAK/TO-220 STripFET II | ST Microelectronics |
| 1162831 | STB60NF10T4 | N-CHANNEL 100V - 0.019Јohm - Mosfet
СИЛЫ 80A D2PAK/TO-220 STripFET II | ST Microelectronics |
| 1162832 | STB60NH02L | N-CHANNEL 24V - 0.0085 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 60A D2PAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1162833 | STB60NH02LT4 | N-CHANNEL 24V - 0.0085 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 60A D2PAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1162834 | STB6100 | Databrief STB6100 | ST Microelectronics |
| 1162835 | STB6100T | 8-PSK / QPSK-тюнер прямого преобразования ИК | ST Microelectronics |
| 1162836 | STB6LNC60 | MOSFET ОМА 5.8ЈA D2PAK POWERMESH
II N-CHANNEL 600V 1 | ST Microelectronics |
| 1162837 | STB6LNC60 | MOSFET ОМА 5.8ЈA D2PAK POWERMESH
II N-CHANNEL 600V 1 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162838 | STB6N52K3 | N-канальный 525 В, 1 Ом, 5, D2PAK SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1162839 | STB6N60M2 | N-канальный 600 В, 1,06 Ом тип., 4,5 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
| 1162840 | STB6N62K3 | N-канальный 620 В, 0,95 Ом тип., 5,5 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
| | | |
