|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29106 | 29107 | 29108 | 29109 | 29110 | 29111 | 29112 | 29113 | 29114 | 29115 | 29116 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1164401STD70N10F4N-канальный 100 В, 0,015 Ом, 60, STripFET (TM) DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в DPAKST Microelectronics
1164402STD70N6F3N-канальный 60 В, 8,0 мОм, 70 DPAKST Microelectronics
1164403STD70NH02LN-CHANNEL 24V - 0.0062ЈOHM - 60A - MOSFET СИЛЫ DPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164404STD70NH02L-1N-CHANNEL 24V - 0.0062ЈOHM - 60A - MOSFET СИЛЫ DPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164405STD70NH02LT4N-CHANNEL 24V - 0.0062ЈOHM - 60A - MOSFET СИЛЫ DPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164406STD70NS04ZLN-канальные 40В, DPAK, силовые МОП-транзисторыST Microelectronics
1164407STD75N3LLH6N-канальный 30 В, 0,0042 Ом, 75, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFETST Microelectronics
1164408STD790AСРЕДСТВ В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА PNP ВЫСОКОГО КЛАССА ИСПОЛНЕНИЯST Microelectronics
1164409STD790AT4СРЕДСТВ В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА PNP ВЫСОКОГО КЛАССА ИСПОЛНЕНИЯST Microelectronics
1164410STD7ANM60NN-канальный 600 V, 5, 0,84 Ом тип., MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164411STD7N52DK3N-канальный 525 В, 0,95 Ом тип., 6 SuperFREDmesh (TM) 3 мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164412STD7N52K3N-канальный 525 В, 0,72 Ом, 6, DPAK SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFETST Microelectronics
1164413STD7N60M2N-канальный 600 В, 0,86 Ом тип., 5 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164414STD7N65M2N-канальный 650 В, 0,96 Ом тип., 5 MDmesh M2 питания MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164415STD7N80K5N-канальный 800 В, 0,95 Ом тип., 6 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164416STD7NB20MOSFET ОМА 7A DPAK/IPAK POWERMESH N-CHANNEL 200V 0.3ST Microelectronics
1164417STD7NB20Н - Mosfet PowerMESH РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1164418STD7NB20-1MOSFET ОМА 7A DPAK/IPAK POWERMESH N-CHANNEL 200V 0.3ST Microelectronics
1164419STD7NB20T4MOSFET ОМА 7A DPAK/IPAK POWERMESH N-CHANNEL 200V 0.3ST Microelectronics
1164420STD7NK40Mosfet N-CHANNEL 400V-0.85Јohm-5.4ЈA Зенер-Za5i5enny1 TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK SuperMESH.?werST Microelectronics
1164421STD7NK40Mosfet N-CHANNEL 400V-0.85Јohm-5.4ЈA Зенер-Za5i5enny1 TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK SuperMESH.?werST Microelectronics
1164422STD7NK40Mosfet N-CHANNEL 400V-0.85Јohm-5.4ЈA Зенер-Za5i5enny1 TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK SuperMESH.?werST Microelectronics
1164423STD7NK40ZN-CHANNEL 400V - 0.85 ОМА - MOSFET СИЛЫ 5.4ЈA TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESHST Microelectronics
1164424STD7NK40Z-1N-CHANNEL 400V - 0.85 ОМА - MOSFET СИЛЫ 5.4ЈA TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESHST Microelectronics
1164425STD7NK40ZT4N-CHANNEL 400V - 0.85 ОМА - MOSFET СИЛЫ 5.4ЈA TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESHST Microelectronics
1164426STD7NM60NN-канальный 600 V, 5, 0,84 Ом MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164427STD7NM64NN-канальный 640 V, 5, 0,88 Ом тип. MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164428STD7NM80N-канальный 800 В, 0,95 Ом, 6,5 MDmesh (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164429STD7NM80-1N-канальный 800 В, 0,95 Ом, 6,5 MDmesh (TM) Мощность MOSFET в ИПАК пакетаST Microelectronics
1164430STD7NS20N-CHANNEL 200V - 0.35 ОМА - 7A - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ DPAK/IPAKST Microelectronics
1164431STD7NS20Н - КАНАЛ 200V - 0.35 Ома - 7A - Mosfet ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ DPAKSGS Thomson Microelectronics
1164432STD7NS20-1N-CHANNEL 200V - 0.35 ОМА - 7A - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ DPAK/IPAKST Microelectronics
1164433STD7NS20T4N-CHANNEL 200V - 0.35 ОМА - 7A - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ DPAK/IPAKST Microelectronics
1164434STD80Введение Архива Стандартной Клетки 0.5 Микронов STD80Samsung Electronic
1164435STD80Содержание Архива Стандартной Клетки 0.5 Микронов STD80Samsung Electronic
1164436STD80Характеристики Архива Стандартной Клетки 0.5 Микронов STD80Samsung Electronic
1164437STD80N10F7N-канальный 100 В, 0,0085 Ом тип., 70 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164438STD80N4F6Автомобильная класса N-канальный 40 В, 5,5 мОм ном., 80, STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164439STD80N6F6Автомобильная класса N-канальный 60 В, 4,4 мОм ном., 80 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164440STD815CP40Комплементарную пару транзисторов в одном корпусеST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29106 | 29107 | 29108 | 29109 | 29110 | 29111 | 29112 | 29113 | 29114 | 29115 | 29116 | >>
English Version for this page Version franaise pour cette page Deutsche Version fr diese Seite Verso portuguese para esta pgina



© 2018 - www.DatasheetCatalog.com