| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1164401 | STD70N10F4 | N-канальный 100 В, 0,015 Ом, 60, STripFET (TM) DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в DPAK | ST Microelectronics |
| 1164402 | STD70N6F3 | N-канальный 60 В, 8,0 мОм, 70 DPAK | ST Microelectronics |
| 1164403 | STD70NH02L | N-CHANNEL 24V - 0.0062ЈOHM -
60A - MOSFET СИЛЫ DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1164404 | STD70NH02L-1 | N-CHANNEL 24V - 0.0062ЈOHM -
60A - MOSFET СИЛЫ DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1164405 | STD70NH02LT4 | N-CHANNEL 24V - 0.0062ЈOHM -
60A - MOSFET СИЛЫ DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1164406 | STD70NS04ZL | N-канальные 40В, DPAK, силовые МОП-транзисторы | ST Microelectronics |
| 1164407 | STD75N3LLH6 | N-канальный 30 В, 0,0042 Ом, 75, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164408 | STD790A | СРЕДСТВ В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО
НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА PNP ВЫСОКОГО КЛАССА ИСПОЛНЕНИЯ | ST Microelectronics |
| 1164409 | STD790AT4 | СРЕДСТВ В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО
НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА PNP ВЫСОКОГО КЛАССА ИСПОЛНЕНИЯ | ST Microelectronics |
| 1164410 | STD7ANM60N | N-канальный 600 V, 5, 0,84 Ом тип., MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164411 | STD7N52DK3 | N-канальный 525 В, 0,95 Ом тип., 6 SuperFREDmesh (TM) 3 мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164412 | STD7N52K3 | N-канальный 525 В, 0,72 Ом, 6, DPAK SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164413 | STD7N60M2 | N-канальный 600 В, 0,86 Ом тип., 5 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164414 | STD7N65M2 | N-канальный 650 В, 0,96 Ом тип., 5 MDmesh M2 питания MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164415 | STD7N80K5 | N-канальный 800 В, 0,95 Ом тип., 6 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164416 | STD7NB20 | MOSFET ОМА 7A DPAK/IPAK POWERMESH
N-CHANNEL 200V 0.3 | ST Microelectronics |
| 1164417 | STD7NB20 | Н - Mosfet PowerMESH РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164418 | STD7NB20-1 | MOSFET ОМА 7A DPAK/IPAK POWERMESH
N-CHANNEL 200V 0.3 | ST Microelectronics |
| 1164419 | STD7NB20T4 | MOSFET ОМА 7A DPAK/IPAK POWERMESH
N-CHANNEL 200V 0.3 | ST Microelectronics |
| 1164420 | STD7NK40 | Mosfet N-CHANNEL 400V-0.85Јohm-5.4ЈA
Зенер-Za5i5enny1 TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK
SuperMESH.?wer | ST Microelectronics |
| 1164421 | STD7NK40 | Mosfet N-CHANNEL 400V-0.85Јohm-5.4ЈA
Зенер-Za5i5enny1 TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK
SuperMESH.?wer | ST Microelectronics |
| 1164422 | STD7NK40 | Mosfet N-CHANNEL 400V-0.85Јohm-5.4ЈA
Зенер-Za5i5enny1 TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK
SuperMESH.?wer | ST Microelectronics |
| 1164423 | STD7NK40Z | N-CHANNEL 400V - 0.85 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 5.4ЈA TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED
SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1164424 | STD7NK40Z-1 | N-CHANNEL 400V - 0.85 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 5.4ЈA TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED
SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1164425 | STD7NK40ZT4 | N-CHANNEL 400V - 0.85 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 5.4ЈA TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED
SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1164426 | STD7NM60N | N-канальный 600 V, 5, 0,84 Ом MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164427 | STD7NM64N | N-канальный 640 V, 5, 0,88 Ом тип. MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164428 | STD7NM80 | N-канальный 800 В, 0,95 Ом, 6,5 MDmesh (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164429 | STD7NM80-1 | N-канальный 800 В, 0,95 Ом, 6,5 MDmesh (TM) Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1164430 | STD7NS20 | N-CHANNEL 200V - 0.35 ОМА - 7A -
MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ DPAK/IPAK | ST Microelectronics |
| 1164431 | STD7NS20 | Н - КАНАЛ 200V - 0.35 Ома - 7A -
Mosfet ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164432 | STD7NS20-1 | N-CHANNEL 200V - 0.35 ОМА - 7A -
MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ DPAK/IPAK | ST Microelectronics |
| 1164433 | STD7NS20T4 | N-CHANNEL 200V - 0.35 ОМА - 7A -
MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ DPAK/IPAK | ST Microelectronics |
| 1164434 | STD80 | Введение Архива Стандартной Клетки 0.5 Микронов
STD80 | Samsung Electronic |
| 1164435 | STD80 | Содержание Архива Стандартной Клетки 0.5 Микронов
STD80 | Samsung Electronic |
| 1164436 | STD80 | Характеристики Архива Стандартной Клетки 0.5
Микронов STD80 | Samsung Electronic |
| 1164437 | STD80N10F7 | N-канальный 100 В, 0,0085 Ом тип., 70 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164438 | STD80N4F6 | Автомобильная класса N-канальный 40 В, 5,5 мОм ном., 80, STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164439 | STD80N6F6 | Автомобильная класса N-канальный 60 В, 4,4 мОм ном., 80 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164440 | STD815CP40 | Комплементарную пару транзисторов в одном корпусе | ST Microelectronics |
| | | |
