|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29107 | 29108 | 29109 | 29110 | 29111 | 29112 | 29113 | 29114 | 29115 | 29116 | 29117 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1164441STD83003ТРАНЗИСТОР СИЛЫ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ FAST-SWITCHING NPNST Microelectronics
1164442STD83003ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ быстрой коммутации NPN СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОРSGS Thomson Microelectronics
1164443STD83003-1ТРАНЗИСТОР СИЛЫ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ FAST-SWITCHING NPNST Microelectronics
1164444STD83003T4ТРАНЗИСТОР СИЛЫ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ FAST-SWITCHING NPNST Microelectronics
1164445STD830CP40Комплементарную пару транзисторов в одном корпусеST Microelectronics
1164446STD840DN40Двойные транзисторы высокого напряжения NPN в одном пакетеST Microelectronics
1164447STD845DN40Транзисторы, мощность Биполярное, высокое напряжениеST Microelectronics
1164448STD85N3LH5N-канальный 30 В, 0,0042 Ом, 80, DPAK, TO-220, IPAKST Microelectronics
1164449STD86N3LH5N-канальный 30 В, 0,0045 Ом, 80, DPAK STripFET V Мощность MOSFETST Microelectronics
1164450STD882Транзистор Кремния Транзистора Кремния NPN ПлоскостнойAUK Corp
1164451STD882DТранзистор Кремния Транзистора Кремния NPN ПлоскостнойAUK Corp
1164452STD888СРЕДСТВ В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА PNP ВЫСОКОГО КЛАССА ИСПОЛНЕНИЯST Microelectronics
1164453STD888T4СРЕДСТВ В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА PNP ВЫСОКОГО КЛАССА ИСПОЛНЕНИЯST Microelectronics
1164454STD8N06СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1164455STD8N06СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1164456STD8N06Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1164457STD8N10LТРАНЗИСТОР MOS СИЛЫ НИЗКИЙА ПОРОГ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELST Microelectronics
1164458STD8N10LТРАНЗИСТОР MOS СИЛЫ НИЗКИЙА ПОРОГ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELST Microelectronics
1164459STD8N10LТРАНЗИСТОР MOS СИЛЫ НИЗКИЙА ПОРОГ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELST Microelectronics
1164460STD8N65M5N-канальный 650 В, 0,56 Ом, 7 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в DPAKST Microelectronics
1164461STD8N80K5N-канальный 800 В, 0,8 Ом тип., 6 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164462STD8NF25N-канальный 250 В, 318 мОм ном., 8, STripFET (TM) II Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164463STD8NM50NN-канальный 500 В, 0,73 Ом, 5 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в DPAKST Microelectronics
1164464STD8NS25MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 8ЈA DPAK N-CHANNEL 250V 0.38ST Microelectronics
1164465STD8NS25MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 8ЈA DPAK N-CHANNEL 250V 0.38SGS Thomson Microelectronics
1164466STD8NS25-1MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 8ЈA DPAK N-CHANNEL 250V 0.38ST Microelectronics
1164467STD8NS25T4MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 8ЈA DPAK N-CHANNEL 250V 0.38ST Microelectronics
1164468STD901TВысокое напряжение NPN транзистор Дарлингтона для катушки зажиганияST Microelectronics
1164469STD90NH02LN-CHANNEL 24V - 0.0052 ОМА - MOSFET СИЛЫ 60A DPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164470STD90NH02L-1N-CHANNEL 24V - 0.0052 ОМА - MOSFET СИЛЫ 60A DPAK/IPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164471STD90NH02LT4N-CHANNEL 24V - 0.0052 ОМА - MOSFET СИЛЫ 60A DPAK/IPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164472STD93003ТРАНЗИСТОР СИЛЫ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ FAST-SWITCHING PNPST Microelectronics
1164473STD93003ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ быстрой коммутации PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОРSGS Thomson Microelectronics
1164474STD93003-1ТРАНЗИСТОР СИЛЫ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ FAST-SWITCHING PNPST Microelectronics
1164475STD93003T4ТРАНЗИСТОР СИЛЫ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ FAST-SWITCHING PNPST Microelectronics
1164476STD95N2LH5N-канальный 25 V, 0,0038 Ом, 80 - DPAK, силовые МОП-транзисторыST Microelectronics
1164477STD95N4F3N-канальный 40 В, 5,0 мОм, 80, DPAK STripFET (TM) III Мощность MOSFETST Microelectronics
1164478STD95N4LF3N-канальный 40 V, 5 МОм, 80 STripFET (TM) III Мощность MOSFET в DPAK пакетST Microelectronics
1164479STD95NH02LN-CHANNEL 24V - 0.0039 Ома - Mosfet STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 80A DPAK УЛЬТРА НИЗКИЙST Microelectronics
1164480STD95NH02L-1N-CHANNEL 24V - 0.0039 Ома - Mosfet STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 80A DPAK УЛЬТРА НИЗКИЙST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29107 | 29108 | 29109 | 29110 | 29111 | 29112 | 29113 | 29114 | 29115 | 29116 | 29117 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com