|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29130 | 29131 | 29132 | 29133 | 29134 | 29135 | 29136 | 29137 | 29138 | 29139 | 29140 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1165361STF9N65M2N-канальный 650 В, 0,79 Ом тип., 5 MDmesh M2 питания MOSFET в TO-220FP пакетаST Microelectronics
1165362STF9NK60ZDN-CHANNEL 600V - 0.85 ОМА - 7A TO-220/TO-220FP/D2PAK ГОЛОДАЮТ MOSFET ДИОДА SUPERMESHST Microelectronics
1165363STF9NK80ZN-CHANNEL 800V -0.9Јohm - Mosfet 7.5ЈA Зенер-Za5i5enny1 TO-220/TO-220FP SuperMESHST Microelectronics
1165364STF9NK80ZN-CHANNEL 800V -0.9Јohm - Mosfet 7.5ЈA Зенер-Za5i5enny1 TO-220/TO-220FP SuperMESHST Microelectronics
1165365STF9NK90N-CHANNEL 900V - 1.1W - Mosfet 8ЈA Зенер-Za5i5enny1 TO-220/TO-220FP/TO-247 SuperMESH.?werST Microelectronics
1165366STF9NK90N-CHANNEL 900V - 1.1W - Mosfet 8ЈA Зенер-Za5i5enny1 TO-220/TO-220FP/TO-247 SuperMESH.?werST Microelectronics
1165367STF9NK90ZMOSFET СИЛЫ ОМА 8ЈA TO-220 TO-220FP TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH N-CHANNEL 900V 1.1ST Microelectronics
1165368STF9NM60NN-канальный 600 В, 0,63 Ом, 6,5 TO-220FP MDmesh (TM) II на MOSFETST Microelectronics
1165369STF9NM60N(045Y)N-канальный 600 В, 0,63 Ом, 6,5 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220FP узкие проводам упаковкеST Microelectronics
1165370STFC01Встроенный ограничитель токаST Microelectronics
1165371STFC01DRВстроенный ограничитель токаST Microelectronics
1165372STFI10N60M2N-канальный 600 В, 0,55 Ом тип., 7,5 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165373STFI10N62K3N-канальный 620 В, 0,68 Ом тип., 8,4 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165374STFI10N65K3N-канальный 650 В, 0,75 Ом тип., 10 Зенера защищен SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165375STFI10NK60ZN-канальный 600 В, 0,65 Ом, 10, стабилитрон, защищенных SuperMESH (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165376STFI11N65M2N-канальный 650 В, 0,6 Ом тип., 7 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165377STFI11NM65NN-канальный 650 В, 0,425 Ом тип., 11 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165378STFI130N10F3N-канальный 100 В, 8 мОм ном., 46 STripFET (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165379STFI13N60M2N-канальный 600 В, 0,35 Ом тип., 11 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165380STFI13N95K3N-канальный 950 В, 0,68 Ом тип., 10 Зенера защищен SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFPST Microelectronics
1165381STFI13NK60ZN-канальный 600 В, 0,48 Ом, 13, стабилитрон, защищенных SuperMESH (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165382STFI13NM60NN-канальный 600 В, 0,28 Ом тип., 11 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165383STFI15N65M5N-канальный 650 В, 0,308 Ом, 11 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165384STFI15NM65NN-канальный 650 В, 0,35 Ом тип., 12 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165385STFI20N65M5N-канальный 650 В, 0,160 Ом тип., 18 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165386STFI20NK50ZN-канальный 500 В, 0,23 Ом, 17, стабилитрон, защищенных SuperMESH (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165387STFI20NM65NN-канальный 650 В, 0,25 Ом тип., 15 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165388STFI24N60M2N-канальный 600 В, 0,168 Ом тип., 18 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165389STFI24NM60NN-канальный 600 В, 0,168 Ом, 17, MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165390STFI260N6F6N-канальный 60 V, 0,0024 Ом, 80 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165391STFI26NM60NN-канальный 600 В, 0,135 Ом тип., 20 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165392STFI28N60M2N-канальный 600 В, 0,135 Ом тип., 22 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg Полевые транзисторы в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165393STFI31N65M5N-канальный 650 В, 0,124 Ом, 22 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165394STFI34N65M5N-канальный 650 В, 0,09 Ом, 28 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165395STFI34NM60NN-канальный 600 В, 0,092 Ом, 29, MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165396STFI40N60M2N-канальный 600 В, 0,078 Ом тип., 34 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в TO-220FP пакетаST Microelectronics
1165397STFI4N62K3N-канальный 620 В, 1,7 Ом тип., 3,8, SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165398STFI5N95K3N-канальный 950 В, 3 Ом, 4 стабилитрон с защитой SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165399STFI6N62K3N-канальный 620 В, 0,95 Ом, 5,5 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
1165400STFI6N65K3N-канальный 650 В, 1,1 Ом тип., 5,4 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакетаST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29130 | 29131 | 29132 | 29133 | 29134 | 29135 | 29136 | 29137 | 29138 | 29139 | 29140 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com