|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29144 | 29145 | 29146 | 29147 | 29148 | 29149 | 29150 | 29151 | 29152 | 29153 | 29154 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1165921STGW60H65FBТренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 60 высокоскоростнойST Microelectronics
1165922STGW60V60DFТренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 60 очень высокая скоростьST Microelectronics
1165923STGW60V60FТренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 60 очень высокая скоростьST Microelectronics
1165924STGW80H65DFBТренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 В, 80 высокоскоростнойST Microelectronics
1165925STGW80H65FBТренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 В, 80 высокоскоростнойST Microelectronics
1165926STGW80V60DFТренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 В, 80 очень высокая скоростьST Microelectronics
1165927STGW80V60FТренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 В, 80 очень высокая скоростьST Microelectronics
1165928STGWA15M120DF3Тренч ворот поля остановка IGBT, серия M 1200 V, 15 с низкими потерямиST Microelectronics
1165929STGWA19NC60HD31, 600 V, очень быстро IGBT с сверхбыстрой диодаST Microelectronics
1165930STGWA25M120DF3Тренч ворот поля остановка IGBT, серия M 1200 V, 25 с низкими потерямиST Microelectronics
1165931STGWA30N120KD30, 1200 В короткое замыкание прочный IGBT с сверхбыстрой диодаST Microelectronics
1165932STGWA35HF60WDI35, 600 V сверхбыстрый IGBT с низким диодом каплиST Microelectronics
1165933STGWA40M120DF3Тренч ворот поля остановка IGBT, серия M 1200 V, 40 с низкими потерямиST Microelectronics
1165934STGWA40N120KD40, 1200 В короткое замыкание прочный IGBT с сверхбыстрой диодаST Microelectronics
1165935STGWA60NC60WDR60, 600 V, сверхбыстрый IGBTST Microelectronics
1165936STGWA80H65FBТренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 В, 80 высокоскоростнойST Microelectronics
1165937STGWF30NC60S30, 600 V, быстрый IGBTST Microelectronics
1165938STGWT20H60DF600 В, 20 высокоскоростной траншеи ворота поля остановка IGBTST Microelectronics
1165939STGWT20H65FBТренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 20 высокоскоростнойST Microelectronics
1165940STGWT20IH125DF1250 V, 20 IH серии траншеи ворота поля остановка IGBTST Microelectronics
1165941STGWT20V60DFТренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 20 очень высокая скоростьST Microelectronics
1165942STGWT20V60FТренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 20 очень высокая скоростьST Microelectronics
1165943STGWT28IH125DF1250 V, 25 IH серии траншеи ворота поля остановка IGBTST Microelectronics
1165944STGWT30H60DFBТренч ворот поля остановка IGBT серии HB 600 V, 30 высокоскоростнойST Microelectronics
1165945STGWT30H65FBТренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 30 высокоскоростнойST Microelectronics
1165946STGWT30V60DFТренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 30 очень высокая скоростьST Microelectronics
1165947STGWT30V60FТренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 30 очень высокая скоростьST Microelectronics
1165948STGWT38IH130D33 - 1300 В - очень быстро IGBTST Microelectronics
1165949STGWT40H60DLFBТренч ворот поля остановка IGBT серии HB 600 V, 40 высокоскоростнойST Microelectronics
1165950STGWT40H65DFBТренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 40 высокоскоростнойST Microelectronics
1165951STGWT40H65FBТренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 40 высокоскоростнойST Microelectronics
1165952STGWT40V60DFТренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 40 очень высокая скоростьST Microelectronics
1165953STGWT40V60DLFТренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 40 очень высокая скоростьST Microelectronics
1165954STGWT50HF65SD60, 650 V, очень низкое падение IGBT с мягкой и быстрой диодомST Microelectronics
1165955STGWT60H60DLFBТренч ворот поля остановка IGBT серии HB 600 V, 60 высокоскоростнойST Microelectronics
1165956STGWT60H65DFBТренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 60 высокоскоростнойST Microelectronics
1165957STGWT60H65FBТренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 60 высокоскоростнойST Microelectronics
1165958STGWT60V60DFТренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 60 очень высокая скоростьST Microelectronics
1165959STGWT80H65DFBТренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 В, 80 высокоскоростнойST Microelectronics
1165960STGWT80H65FBТренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 В, 80 высокоскоростнойST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29144 | 29145 | 29146 | 29147 | 29148 | 29149 | 29150 | 29151 | 29152 | 29153 | 29154 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com