| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1165961 | STGWT80V60DF | Тренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 В, 80 очень высокая скорость | ST Microelectronics |
| 1165962 | STGWT80V60F | Тренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 В, 80 очень высокая скорость | ST Microelectronics |
| 1165963 | STGY40NC60V | N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 Очень
Быстрое PowerMESH?? IGBT | ST Microelectronics |
| 1165964 | STGY40NC60V | N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 Очень
Быстрое PowerMESH?? IGBT | ST Microelectronics |
| 1165965 | STGY40NC60VD | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 ОЧЕНЬ
БЫСТРОЕ POWERMESH "IGBT | ST Microelectronics |
| 1165966 | STGY50NB60 | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247
PowerMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 1165967 | STGY50NB60 | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247
PowerMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 1165968 | STGY50NB60HD | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247
POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 1165969 | STGY50NB60HD | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247
PowerMESH IGBT | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165970 | STGY50NC60WD | Ультра быстрый "W" серия | ST Microelectronics |
| 1165971 | STGY80H65DFB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 В, 80 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 1165972 | STH10NA50 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА БЫСТРЫЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165973 | STH10NA50FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1165974 | STH10NA50FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165975 | STH10NA50FI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА БЫСТРЫЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165976 | STH10NC60FI | N-CHANNEL 600V - 0.6 ОМА - 10A -
MOSFET TO-247/ISOWATT218 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1165977 | STH10NC60FI | Н - КАНАЛ 600V - 0.65ЈOhms - 10A -
Mosfet TO-247/ISOWATT218 PowerMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165978 | STH10NC60FI | N-CHANNEL 600V - 0.6 ОМА - 10A -
MOSFET TO-247/ISOWATT218 POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165979 | STH10NK60ZFI | MOSFET СИЛЫ ОМА 10A ZENER-PROTECTED
SUPERMESH N-CHANNEL 600V 0.65 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165980 | STH110N10F7-2 | N-канальный 100 В, 4,9 мОм ном., 110, STripFET (TM) VII DeepGATE питания MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 1165981 | STH110N10F7-6 | N-канальный 100 В, 4,9 мОм ном., 110, STripFET (TM) VII DeepGATE питания MOSFET в H2PAK-6 пакета | ST Microelectronics |
| 1165982 | STH12N120K5-2 | N-канальный 1200 V, 0,58 Ом тип., 12 Зенера защищен SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 1165983 | STH12NA60 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА БЫСТРЫЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165984 | STH12NA60FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1165985 | STH12NA60FI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА БЫСТРЫЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165986 | STH12NA60FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165987 | STH130N10F3-2 | N-канальный 100 В, 7,8 мОм ном., 120 STripFET (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 1165988 | STH13NB60 | Н - КАНАЛ 600V - 0.48ohm - 13ЈA -
Mosfet TO-247/ISOWATT218 PowerMESH | ST Microelectronics |
| 1165989 | STH13NB60 | Н - КАНАЛ 600V - 0.48ohm - 13ЈA -
Mosfet TO-247/ISOWATT218 PowerMESH | ST Microelectronics |
| 1165990 | STH13NB60FI | Н - КАНАЛ 600V - 0.48W - 13ЈA -
Mosfet TO-247/ISOWATT218 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165991 | STH13NB60FI | N-CHANNEL 600V - 0.48 ОМА - 13ЈA -
MOSFET TO-247/ISOWATT218 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1165992 | STH140N8F7-2 | N-канальный 80 В, 3,3 мОм ном., 90 STripFET F7 питания MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 1165993 | STH150N10F7-2 | N-канальный 100 В, 0,0038 Ом тип., 90 STripFET F7 питания MOSFET в H2PAK-2 пакет | ST Microelectronics |
| 1165994 | STH15NA50 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА БЫСТРЫЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165995 | STH15NA50FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1165996 | STH15NA50FI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА БЫСТРЫЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165997 | STH15NA50FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165998 | STH15NB50FI | ТРАНЗИСТОР MOS СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА РЕЖИМА
ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNLE ОЧЕНЬ НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1165999 | STH15NB50FI | N-CHANNEL 500V - 0.33W - 14.6ЈA -
Mosfet T0- 247/ISOWATT218 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166000 | STH15NB50FI | ТРАНЗИСТОР MOS СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА РЕЖИМА
ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNLE ОЧЕНЬ НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |
