| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1166001 | STH16NA40FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1166002 | STH16NA40FI | Н - КАНАЛ 400V - 0.21W - 16ЈA -
ТРАНЗИСТОРЫ Mos СИЛЫ TO-247/ISOWATT218 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166003 | STH16NA40FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166004 | STH180N10F3-2 | N-канальный 100 В, 3,9 мОм, 180 STripFET (TM) III Мощность MOSFET H2PAK-2 | ST Microelectronics |
| 1166005 | STH180N10F3-6 | N-канальный 100 В, 3,9 мОм, 180, H2PAK-6 STripFET (TM) III Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1166006 | STH185N10F3-2 | Автомобильная класса N-канальный 100 В, 3,9 мОм ном., 180 STripFET (TM) III Мощность MOSFET H2PAK-2 пакет | ST Microelectronics |
| 1166007 | STH18NB40 | MOSFET ОМА 18.4ЈA TO-247/ISOWATT218
POWERMESH N-CHANNEL 400V 0.19 | ST Microelectronics |
| 1166008 | STH18NB40FI | MOSFET ОМА 18.4ЈA TO-247/ISOWATT218
POWERMESH N-CHANNEL 400V 0.19 | ST Microelectronics |
| 1166009 | STH18NB40FI | N-CHANNEL 400V - 0.19W - Mosfet
18.4ЈA TO-247/ISOWATT218 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166010 | STH18NB40FI | MOSFET ОМА 18.4ЈA TO-247/ISOWATT218
POWERMESH N-CHANNEL 400V 0.19 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166011 | STH210N75F6-2 | N-канальный 75 V, 0,0027 Ом тип., 180 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 1166012 | STH240N10F7-2 | N-канальный 100 В, 0,002 Ом тип., 180 STripFET F7 питания MOSFET в корпусе H2PAK-2 | ST Microelectronics |
| 1166013 | STH240N10F7-6 | N-канальный 100 В, 0,002 Ом тип., 180 STripFET F7 питания MOSFET в H2PAK-6 пакета | ST Microelectronics |
| 1166014 | STH240N75F3-2 | N-канальный 75 В, 2,6 мОм ном., 180 STripFET (TM) III Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 1166015 | STH240N75F3-6 | N-канальный 75 В, 2,6 мОм ном., 180 STripFET (TM) III Мощность MOSFET в H2PAK-6 пакета | ST Microelectronics |
| 1166016 | STH245N75F3-6 | Автомобильная класса N-канальный 75 В, 2,6 мОм ном., 180 STripFET F3 питания MOSFET в H2PAK-6 пакет | ST Microelectronics |
| 1166017 | STH250N55F3-6 | N-канальный 55 В, 2,2 мОм, 180, H2PAK, STripFET III Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1166018 | STH260N6F6-2 | N-канальный 60 В, 1,7 мОм ном., 180 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 1166019 | STH260N6F6-6 | N-канальный 60 В, 1,7 мОм ном., 180 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-6 пакета | ST Microelectronics |
| 1166020 | STH270N4F3-2 | N-канальный 40 В, 1,4 мОм ном., 180 STripFET (TM) III Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 1166021 | STH270N4F3-6 | N-канальный 40 В, 1,4 мОм ном., 180 STripFET (TM) III Мощность MOSFET в H2PAK-6 пакета | ST Microelectronics |
| 1166022 | STH270N8F7-2 | N-канальный 80 В, 1,7 мОм ном., 180 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 1166023 | STH270N8F7-6 | N-канальный 80 В, 1,7 мОм ном., 180 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-6 пакета | ST Microelectronics |
| 1166024 | STH300NH02L-6 | N-канальный 24 В, 0,95 мОм ном., 180 STripFET (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-6 пакета | ST Microelectronics |
| 1166025 | STH310N10F7-2 | N-канальный 100 В, 1,9 мОм ном., 180 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 1166026 | STH310N10F7-6 | N-канальный 100 В, 1,9 мОм ном., 180 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-6 пакета | ST Microelectronics |
| 1166027 | STH315N10F7-2 | Автомобильная класса N-канальный 100 В, 2,1 мОм ном., 180 STripFET F7 питания MOSFET | ST Microelectronics |
| 1166028 | STH315N10F7-6 | Автомобильная класса N-канальный 100 В, 2,1 мОм ном., 180 STripFET F7 питания MOSFET | ST Microelectronics |
| 1166029 | STH320N4F6-2 | N-канальный 40 В, 1,1 мОм ном., 200 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 1166030 | STH320N4F6-6 | N-канальный 40 В, 1,1 мОм ном., 200 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-6 пакета | ST Microelectronics |
| 1166031 | STH33N20 | ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL | ST Microelectronics |
| 1166032 | STH33N20 | ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL | ST Microelectronics |
| 1166033 | STH33N20FI | ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL | ST Microelectronics |
| 1166034 | STH33N20FI | ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL | ST Microelectronics |
| 1166035 | STH360N4F6-2 | N-канальный 40 В, 180 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 1166036 | STH3N150-2 | N-канальный 1500 V, 6 Ом тип., 2,5 PowerMESH (TM) мощность MOSFET в H2PAK-2 пакет | ST Microelectronics |
| 1166037 | STH400N4F6-2 | Автомобильная класса N-канальный 40 В, 0,85 мОм ном., 180 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакет | ST Microelectronics |
| 1166038 | STH400N4F6-6 | Автомобильная класса N-канальный 40 В, 0,85 мОм ном., 180 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-6 пакет | ST Microelectronics |
| 1166039 | STH4N90 | ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL | ST Microelectronics |
| 1166040 | STH4N90 | ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL | ST Microelectronics |
| | | |
