|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29148 | 29149 | 29150 | 29151 | 29152 | 29153 | 29154 | 29155 | 29156 | 29157 | 29158 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1166081STH6N100FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1166082STH6N100FIН - РЕЖИМ ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА, ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
1166083STH6N100FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1166084STH6NA80FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1166085STH6NA80FIН - КАНАЛ 800V - 1.8 Ома - 5.4ЈA - TO-247/ISOWATT218 ГОЛОДАЮТ ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
1166086STH6NA80FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1166087STH7NA100FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1166088STH7NA100FIН - РЕЖИМ ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА, ТРАНЗИСТОРЫ Mos СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
1166089STH7NA100FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1166090STH7NA80Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙST Microelectronics
1166091STH7NA80Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙST Microelectronics
1166092STH7NA80FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1166093STH7NA80FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
1166094STH7NA80FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1166095STH7NA90FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1166096STH7NA90FIН - КАНАЛ 900V - 1.05 Ома - 7A - TO-247/ISOWATT218 ГОЛОДАЮТ Mosfet СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
1166097STH7NA90FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1166098STH80N10F7-2N-канальный 100 В, 0,008 Ом тип., 80 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакетаST Microelectronics
1166099STH81002Zлазер 1550nm в коаксиальном К-PaketeSiemens
1166100STH81002Zлазер 1550nm в коаксиальном К-PaketeSiemens
1166101STH8N80ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELST Microelectronics
1166102STH8N80FIТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELST Microelectronics
1166103STH8N80FIТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELST Microelectronics
1166104STH8NA60FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1166105STH8NA60FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
1166106STH8NA60FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1166107STH8NA80FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1166108STH8NA80FIН - ТРАНЗИСТОРЫ Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1166109STH8NA80FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1166110STH8NB90FIN-CHANNEL 900V - 1.1 ОМА - 8ЈA - MOSFET TO-247/ISOWATT218 POWERMESHST Microelectronics
1166111STH8NB90FIN-CHANNEL 900V - 1.1 ОМА - 8ЈA - MOSFET TO-247/ISOWATT218 POWERMESHSGS Thomson Microelectronics
1166112STH9NA60FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1166113STH9NA60FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
1166114STH9NA60FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1166115STH9NA80Н - КАНАЛ 800V - 0.85Јohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 ГОЛОДАЮТ ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫST Microelectronics
1166116STH9NA80Н - КАНАЛ 800V - 0.85Јohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 ГОЛОДАЮТ ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫST Microelectronics
1166117STH9NA80FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1166118STH9NA80FIН - КАНАЛ 800V - 0.85ЈOhm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 ГОЛОДАЮТ ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
1166119STH9NA80FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНЫЙ ПРОДУКТ Ф: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1166120STHH2003CRВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ВТОРИЧНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКАST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29148 | 29149 | 29150 | 29151 | 29152 | 29153 | 29154 | 29155 | 29156 | 29157 | 29158 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com