Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
1166081 | STH6N100FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1166082 | STH6N100FI | Н - РЕЖИМ ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА, ТРАНЗИСТОР Mos
СИЛЫ | SGS Thomson Microelectronics |
1166083 | STH6N100FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1166084 | STH6NA80FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1166085 | STH6NA80FI | Н - КАНАЛ 800V - 1.8 Ома - 5.4ЈA -
TO-247/ISOWATT218 ГОЛОДАЮТ ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ | SGS Thomson Microelectronics |
1166086 | STH6NA80FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1166087 | STH7NA100FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1166088 | STH7NA100FI | Н - РЕЖИМ ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА, ТРАНЗИСТОРЫ Mos
СИЛЫ | SGS Thomson Microelectronics |
1166089 | STH7NA100FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1166090 | STH7NA80 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА БЫСТРЫЙ | ST Microelectronics |
1166091 | STH7NA80 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА БЫСТРЫЙ | ST Microelectronics |
1166092 | STH7NA80FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1166093 | STH7NA80FI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА БЫСТРЫЙ | SGS Thomson Microelectronics |
1166094 | STH7NA80FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1166095 | STH7NA90FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1166096 | STH7NA90FI | Н - КАНАЛ 900V - 1.05 Ома - 7A -
TO-247/ISOWATT218 ГОЛОДАЮТ Mosfet СИЛЫ | SGS Thomson Microelectronics |
1166097 | STH7NA90FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1166098 | STH80N10F7-2 | N-канальный 100 В, 0,008 Ом тип., 80 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
1166099 | STH81002Z | лазер 1550nm в коаксиальном К-Pakete | Siemens |
1166100 | STH81002Z | лазер 1550nm в коаксиальном К-Pakete | Siemens |
1166101 | STH8N80 | ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL | ST Microelectronics |
1166102 | STH8N80FI | ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL | ST Microelectronics |
1166103 | STH8N80FI | ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL | ST Microelectronics |
1166104 | STH8NA60FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1166105 | STH8NA60FI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА БЫСТРЫЙ | SGS Thomson Microelectronics |
1166106 | STH8NA60FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1166107 | STH8NA80FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1166108 | STH8NA80FI | Н - ТРАНЗИСТОРЫ Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
1166109 | STH8NA80FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1166110 | STH8NB90FI | N-CHANNEL 900V - 1.1 ОМА - 8ЈA -
MOSFET TO-247/ISOWATT218 POWERMESH | ST Microelectronics |
1166111 | STH8NB90FI | N-CHANNEL 900V - 1.1 ОМА - 8ЈA -
MOSFET TO-247/ISOWATT218 POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
1166112 | STH9NA60FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1166113 | STH9NA60FI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА БЫСТРЫЙ | SGS Thomson Microelectronics |
1166114 | STH9NA60FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1166115 | STH9NA80 | Н - КАНАЛ 800V - 0.85Јohm - 9.1A -
TO-247/ISOWATT218 ГОЛОДАЮТ ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ | ST Microelectronics |
1166116 | STH9NA80 | Н - КАНАЛ 800V - 0.85Јohm - 9.1A -
TO-247/ISOWATT218 ГОЛОДАЮТ ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ | ST Microelectronics |
1166117 | STH9NA80FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1166118 | STH9NA80FI | Н - КАНАЛ 800V - 0.85ЈOhm - 9.1A -
TO-247/ISOWATT218 ГОЛОДАЮТ ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ | SGS Thomson Microelectronics |
1166119 | STH9NA80FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНЫЙ ПРОДУКТ Ф:
ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1166120 | STHH2003CR | ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ВТОРИЧНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА | ST Microelectronics |
| | | |