| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1179921 | STU2071B1 | ЦЕПЬ ПОВЕРХНОСТИ СТЫКА 4B3T У | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179922 | STU2071FN | ЦЕПЬ ПОВЕРХНОСТИ СТЫКА 4B3T У | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179923 | STU20N03L | Транзистор ffect ield е ф режима
nhancement уровня е логики Н-Kanala | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1179924 | STU20N03L | Транзистор ffect ield е ф режима
nhancement уровня е логики Н-Kanala | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1179925 | STU26NM50 | MOSFET СИЛЫ ОМА 26ЈA
TO-247/MAX220/MAX220I ZENER-PROTECTED MDMESH
N-CHANNEL 500V 0.10 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179926 | STU26NM50I | MOSFET СИЛЫ ОМА 26ЈA
TO-247/MAX220/MAX220I ZENER-PROTECTED MDMESH
N-CHANNEL 500V 0.10 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179927 | STU26NM60 | MOSFET СИЛЫ ОМА 26ЈA
TO-247/MAX220/MAX220I ZENER-PROTECTED MDMESH
N-CHANNEL 600V 0.125 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179928 | STU26NM60I | MOSFET СИЛЫ ОМА 26ЈA
TO-247/MAX220/MAX220I ZENER-PROTECTED MDMESH
N-CHANNEL 600V 0.125 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179929 | STU2LN60K3 | N-канальный 600 В, 4 Ом тип., 2, SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1179930 | STU2N62K3 | N-канальный 620 В, 3 Ом, 2,2, IPAK SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1179931 | STU2N80K5 | N-канальный 800 В, 3,5 Ом тип., 2 стабилитрона защищен SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1179932 | STU2N95K5 | N-канальный 950 В, 4,2 Ом тип., 2 стабилитрона защищен SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1179933 | STU2NK100Z | N-канальный 1000 V, 6,25 Ом, 1,85, IPAK стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1179934 | STU3055L | Транзистор ffect ield е ф режима
nhancement уровня е логики Н-Kanala | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1179935 | STU3055L | Транзистор ffect ield е ф режима
nhancement уровня е логики Н-Kanala | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1179936 | STU3055L2 | Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Уровня Логики
Н-Kanala | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1179937 | STU3055L2 | Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Уровня Логики
Н-Kanala | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1179938 | STU36NB20 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1179939 | STU36NB20 | MOSFET N-CHANNEL 200V 0.052ЈOHM
36ЈA MAX220 POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179940 | STU36NB20 | Mosfet PowerMESH РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179941 | STU3LN62K3 | N-канальный 620 В, 2,5 Ом, 2,5 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET IPAK | ST Microelectronics |
| 1179942 | STU3N45K3 | N-канальный 450 В, 3,2 Ом, 1,8, IPAK SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1179943 | STU3N62K3 | N-канальный 620 В, 2,2 Ом тип., 2,7 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1179944 | STU3N80K5 | N-канальный 800 В, 2,8 Ом тип., 2,5 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1179945 | STU4N52K3 | N-канальный 525 В, 2,5, 2,1 Ом тип., SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1179946 | STU4N62K3 | N-канальный 620 В, 1,7 Ом тип., 3,8, SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1179947 | STU4N80K5 | N-канальный 800 В, 2,1 Ом тип., 3 Зенера защищен SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1179948 | STU5N52K3 | N-канальный 525 В, 1,2 Ом тип., 4,4 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1179949 | STU5N60M2 | N-канальный 600 В, 1,26 Ом тип., 3,7 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1179950 | STU5N62K3 | N-канальный 620 В, 1,28 Ом тип., 4,2 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1179951 | STU5N95K3 | N-канальный 950 В, 3 Ом, 4 стабилитрон с защитой SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в ИПАК пакета | ST Microelectronics |
| 1179952 | STU6010 | УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ
ПЕРЕХОДНЫЙ | EIC discrete Semiconductors |
| 1179953 | STU6011 | УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ
ПЕРЕХОДНЫЙ | EIC discrete Semiconductors |
| 1179954 | STU6012 | УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ
ПЕРЕХОДНЫЙ | EIC discrete Semiconductors |
| 1179955 | STU6013 | УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ
ПЕРЕХОДНЫЙ | EIC discrete Semiconductors |
| 1179956 | STU6015 | УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ
ПЕРЕХОДНЫЙ | EIC discrete Semiconductors |
| 1179957 | STU6016 | УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ
ПЕРЕХОДНЫЙ | EIC discrete Semiconductors |
| 1179958 | STU6018 | УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ
ПЕРЕХОДНЫЙ | EIC discrete Semiconductors |
| 1179959 | STU6020 | УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ
ПЕРЕХОДНЫЙ | EIC discrete Semiconductors |
| 1179960 | STU6022 | УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ
ПЕРЕХОДНЫЙ | EIC discrete Semiconductors |
| | | |
