| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1180921 | STW240NF55 | N-CHANNEL 55V - 0.0027 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 120A TO-247 STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1180922 | STW24N60DM2 | N-канальный 600 В, 0,175 Ом тип., 18 FDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в TO-247 корпусе | ST Microelectronics |
| 1180923 | STW24N60M2 | N-канальный 600 В, 0,168 Ом тип., 18 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в TO-247 корпусе | ST Microelectronics |
| 1180924 | STW24NM60N | N-канальный 600 В, 0,168 Ом, 17 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET TO-247 | ST Microelectronics |
| 1180925 | STW25N80K5 | N-канальный 800 В, 0,19 Ом тип., 19,5 SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-247 пакет | ST Microelectronics |
| 1180926 | STW25N95K3 | N-канальный 950 В, 0,32 Ом, 22, К-247 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180927 | STW25NM50N | N-CHANNEL 550V @ TjMAX - 0.12 Ома -
21.5 Mosfet MDmesh ПОКОЛЕНИЯ А
TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ВТОРОГО | ST Microelectronics |
| 1180928 | STW25NM60N | Mosfet MDmesh ПОКОЛЕНИЯ N-CHANNEL
650 @Tjmax-0.140&-20A
TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ВТОРОГО | ST Microelectronics |
| 1180929 | STW25NM60ND | N-канальный 600 В, 0,13 Ом тип., 21 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в К-247 пакета | ST Microelectronics |
| 1180930 | STW26NM50 | N-CHANNEL 500V - 0.10 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 26ЈA TO-247 ZENER-PROTECTED MDMESH | ST Microelectronics |
| 1180931 | STW26NM50 | MOSFET СИЛЫ ОМА 26ЈA
TO-247/MAX220/MAX220I ZENER-PROTECTED MDMESH
N-CHANNEL 500V 0.10 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180932 | STW26NM60 | N-CHANNEL 600V - 0.125 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 26ЈA TO-247 ZENER-PROTECTED MDMESH | ST Microelectronics |
| 1180933 | STW26NM60 | MOSFET СИЛЫ ОМА 26ЈA
TO-247/MAX220/MAX220I ZENER-PROTECTED MDMESH
N-CHANNEL 600V 0.125 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180934 | STW26NM60N | N-канальный 600 В, 0,135 Ом тип., 20 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-247 пакет | ST Microelectronics |
| 1180935 | STW26NM60ND | N-канальный 600 В, 0,145 Ом тип., 21 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в К-247 пакета | ST Microelectronics |
| 1180936 | STW27NM60ND | N-канальный 600 В, 0,13 Ом, 21 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в TO-247 | ST Microelectronics |
| 1180937 | STW28N60M2 | N-канальный 600 В, 0,135 Ом тип., 22 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg Полевые транзисторы в TO-247 корпусе | ST Microelectronics |
| 1180938 | STW28NK60Z | Mosfet ОМА 27A Зенер-Za5i5enny1
TO-247 SuperMesh N-CHANNEL 600V 0.155 | ST Microelectronics |
| 1180939 | STW28NM50N | N-канальный 500 В, 0,135 Ом тип., 21 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-247 пакет | ST Microelectronics |
| 1180940 | STW28NM60ND | N-канальный 600 В, 0,120 Ом тип., 24 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в К-247 пакета | ST Microelectronics |
| 1180941 | STW29NK50Z | N-CHANNEL 500 В - 0.105 Ома -
Mosfet 31A Зенер-Za5i5enny1 TO-247 SuperMESH | ST Microelectronics |
| 1180942 | STW29NK50ZD | N-CHANNEL 500V - 0.11 ОМА - 29A
TO-247 ГОЛОДАЮТ MOSFET ДИОДА SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1180943 | STW30N65M5 | N-канальный 650 В, 0,125 Ом, 22, MDmesh (TM) V Мощность MOSFET TO-247 | ST Microelectronics |
| 1180944 | STW30NF20 | N-канальный 200 В, 0,065 Ом, 30, К-247 STripFET (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180945 | STW30NM60D | N-CHANNEL 600V - 0.125 ОМА - 30A
TO-247 ГОЛОДАЮТ MOSFET ДИОДА™ MDMESH | ST Microelectronics |
| 1180946 | STW3100 | МОДУЛЬ ПРИЕМОПЕРЕДАТЧИКА | ST Microelectronics |
| 1180947 | STW3100E1/LF | МОДУЛЬ ПРИЕМОПЕРЕДАТЧИКА | ST Microelectronics |
| 1180948 | STW3100E2/LF | МОДУЛЬ ПРИЕМОПЕРЕДАТЧИКА | ST Microelectronics |
| 1180949 | STW3101 | МОДУЛЬ ПРИЕМОПЕРЕДАТЧИКА | ST Microelectronics |
| 1180950 | STW3101E1/LF | МОДУЛЬ ПРИЕМОПЕРЕДАТЧИКА | ST Microelectronics |
| 1180951 | STW31N65M5 | N-канальный 650 В, 0,124 Ом, 22 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-247 корпусе | ST Microelectronics |
| 1180952 | STW32N65M5 | N-канальный 650 В, 0,095 Ом, 24, MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-247 | ST Microelectronics |
| 1180953 | STW32NM50N | N-канальный 500 В, 0,1 Ом тип., 22 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-247 пакет | ST Microelectronics |
| 1180954 | STW33N20 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180955 | STW33N20 | Н - Mosfet СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180956 | STW33N20 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180957 | STW33N60M2 | N-канальный 600 В, 0,108 Ом тип., 26 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg Полевые транзисторы в TO-247 корпусе | ST Microelectronics |
| 1180958 | STW34N65M5 | N-канальный 650 В, 0,09 Ом, 28 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-247 корпусе | ST Microelectronics |
| 1180959 | STW34NB20 | MOSFET РЕЖИМА POWERMESH ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL | ST Microelectronics |
| 1180960 | STW34NM60N | N-канальный 600 В, 0,092 Ом, 29, MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-247 | ST Microelectronics |
| | | |
