| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1184081 | T221160A | РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ДИНАМИЧЕСКОГО ШТОССЕЛЯ 16 64K
x БЫСТРЫЙ | Taiwan Memory Technology |
| 1184082 | T221160A-30J | РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ДИНАМИЧЕСКОГО ШТОССЕЛЯ 16 64K
x БЫСТРЫЙ | Taiwan Memory Technology |
| 1184083 | T221160A-30J | 30ns; От 4,5 до 5,5; 1,0 Вт; 64K х 16 Dynamic RAM: Быстрая мода Page | TM Technology |
| 1184084 | T221160A-30S | РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ДИНАМИЧЕСКОГО ШТОССЕЛЯ 16 64K
x БЫСТРЫЙ | Taiwan Memory Technology |
| 1184085 | T221160A-30S | 30ns; От 4,5 до 5,5; 1,0 Вт; 64K х 16 Dynamic RAM: Быстрая мода Page | TM Technology |
| 1184086 | T221160A-35J | РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ДИНАМИЧЕСКОГО ШТОССЕЛЯ 16 64K
x БЫСТРЫЙ | Taiwan Memory Technology |
| 1184087 | T221160A-35J | 35ns; От 4,5 до 5,5; 1,0 Вт; 64K х 16 Dynamic RAM: Быстрая мода Page | TM Technology |
| 1184088 | T221160A-35S | РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ДИНАМИЧЕСКОГО ШТОССЕЛЯ 16 64K
x БЫСТРЫЙ | Taiwan Memory Technology |
| 1184089 | T221160A-35S | 35ns; От 4,5 до 5,5; 1,0 Вт; 64K х 16 Dynamic RAM: Быстрая мода Page | TM Technology |
| 1184090 | T221N | Вариант Puk Хоккея ТИРИСТОРОВ УПРАВЛЕНИЕМ УЧАСТКА | etc |
| 1184091 | T224160B | РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ДИНАМИЧЕСКОГО ШТОССЕЛЯ 16
256K x БЫСТРЫЙ | Taiwan Memory Technology |
| 1184092 | T224160B | От 4,5 до 5,5; 1,2 Вт; 256 х 16 Dynamic RAM: Быстрая мода Page | TM Technology |
| 1184093 | T224160B-30 | РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ДИНАМИЧЕСКОГО ШТОССЕЛЯ 16
256K x БЫСТРЫЙ | Taiwan Memory Technology |
| 1184094 | T224160B-35 | РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ДИНАМИЧЕСКОГО ШТОССЕЛЯ 16
256K x БЫСТРЫЙ | Taiwan Memory Technology |
| 1184095 | T224160B-45 | РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ДИНАМИЧЕСКОГО ШТОССЕЛЯ 16
256K x БЫСТРЫЙ | Taiwan Memory Technology |
| 1184096 | T224160B-60 | РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ДИНАМИЧЕСКОГО ШТОССЕЛЯ 16
256K x БЫСТРЫЙ | Taiwan Memory Technology |
| 1184097 | T224162-22J | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 22ns | TM Technology |
| 1184098 | T224162-22S | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 22ns | TM Technology |
| 1184099 | T224162-25J | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 25 нс | TM Technology |
| 1184100 | T224162-25S | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 25 нс | TM Technology |
| 1184101 | T224162-28J | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 28Н | TM Technology |
| 1184102 | T224162-28S | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 28Н | TM Technology |
| 1184103 | T224162-35J | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 35ns | TM Technology |
| 1184104 | T224162-35S | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 35ns | TM Technology |
| 1184105 | T224162-45J | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 45ns | TM Technology |
| 1184106 | T224162-45S | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 45ns | TM Technology |
| 1184107 | T224162-50J | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 50 нс | TM Technology |
| 1184108 | T224162-50S | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 50 нс | TM Technology |
| 1184109 | T224162B | 256K x 16 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ
ШТОССЕЛЯ EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184110 | T224162B | От 4,5 до 5,5; 1,0 Вт; 256 х 16 Dynamic RAM: ОКБ Page моды | TM Technology |
| 1184111 | T224162B-22 | 256K x 16 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ
ШТОССЕЛЯ EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184112 | T224162B-25 | 256K x 16 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ
ШТОССЕЛЯ EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184113 | T224162B-28 | 256K x 16 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ
ШТОССЕЛЯ EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184114 | T224162B-35 | 256K x 16 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ
ШТОССЕЛЯ EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184115 | T224162B-45 | 256K x 16 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ
ШТОССЕЛЯ EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184116 | T224162B-50 | 256K x 16 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ
ШТОССЕЛЯ EDO | Taiwan Memory Technology |
| 1184117 | T2300 | ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ТРИАКИ КРЕМНИЯ СТРОБА | General Electric Solid State |
| 1184118 | T2300A | 2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 3 мА ворота, Vdrom 100 В. | General Electric Solid State |
| 1184119 | T2300B | 2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 3 мА ворота, Vdrom 200 В. | General Electric Solid State |
| 1184120 | T2300D | 2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 3 мА ворота, Vdrom 400 В. | General Electric Solid State |
| | | |
