|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29599 | 29600 | 29601 | 29602 | 29603 | 29604 | 29605 | 29606 | 29607 | 29608 | 29609 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1184121T2300F2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 3 мА ворота, Vdrom 50 В.General Electric Solid State
1184122T2300M2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 3 мА ворота, Vdrom 600 В.General Electric Solid State
1184123T2300N2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 3 мА ворота, Vdrom 800 В.General Electric Solid State
1184124T2301ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ТРИАКИ КРЕМНИЯ СТРОБАGeneral Electric Solid State
1184125T2301A2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 4 мА ворота, Vdrom 100 В.General Electric Solid State
1184126T2301B2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 4 мА ворота, Vdrom 200 В.General Electric Solid State
1184127T2301D2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 4 мА ворота, Vdrom 400 В.General Electric Solid State
1184128T2301F2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 4 мА ворота, Vdrom 50 В.General Electric Solid State
1184129T2301M2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 4 мА ворота, Vdrom 600 В.General Electric Solid State
1184130T2301NВариант Puk Хоккея ТИРИСТОРОВ УПРАВЛЕНИЕМ УЧАСТКАetc
1184131T2301N2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 4 мА ворота, Vdrom 800 В.General Electric Solid State
1184132T2302ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ТРИАКИ КРЕМНИЯ СТРОБАGeneral Electric Solid State
1184133T2302A2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 10 мА ворота, Vdrom 100 В.General Electric Solid State
1184134T2302B2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 10 мА ворота, Vdrom 200 В.General Electric Solid State
1184135T2302D2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 10 мА ворота, Vdrom 400 В.General Electric Solid State
1184136T2302F2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 10 мА ворота, Vdrom 50 В.General Electric Solid State
1184137T2302M2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 10 мА ворота, Vdrom 600 В.General Electric Solid State
1184138T2302N2.5-чувствительным затвором кремния симистор. Макс 10 мА ворота, Vdrom 800 В.General Electric Solid State
1184139T2316160AРЕЖИМ СТРАНИЦЫ ДИНАМИЧЕСКОГО ШТОССЕЛЯ 16 1024K x БЫСТРЫЙTaiwan Memory Technology
1184140T2316160AОт 4,5 до 5,5; 1,2 Вт; 1024k х 16 Dynamic RAM: Быстрая мода PageTM Technology
1184141T2316160A-45РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ДИНАМИЧЕСКОГО ШТОССЕЛЯ 16 1024K x БЫСТРЫЙTaiwan Memory Technology
1184142T2316160A-60РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ДИНАМИЧЕСКОГО ШТОССЕЛЯ 16 1024K x БЫСТРЫЙTaiwan Memory Technology
1184143T2316162A1024K x 16 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ EDOTaiwan Memory Technology
1184144T2316162AОт 4,5 до 5,5; 1,2 Вт; 1024k х 16 Dynamic RAM: ОКБ Page модыTM Technology
1184145T2316162A-451024K x 16 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ EDOTaiwan Memory Technology
1184146T2316162A-501024K x 16 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ EDOTaiwan Memory Technology
1184147T2316162A-601024K x 16 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ EDOTaiwan Memory Technology
1184148T2316405A4M х 4 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ EDOTaiwan Memory Technology
1184149T2316405AОт 0,5 до 4,6 В; 1,0 Вт; 4M х 4 Динамическая оперативная память: ОКБ Page модыTM Technology
1184150T2316405A-104M х 4 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ EDOTaiwan Memory Technology
1184151T2316405A-504M х 4 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ EDOTaiwan Memory Technology
1184152T2316405A-604M х 4 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ EDOTaiwan Memory Technology
1184153T2316405A-704M х 4 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ EDOTaiwan Memory Technology
1184154T2316407A4M х 4 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ EDOTaiwan Memory Technology
1184155T2316407AОт 0,5 до 4,6 В; 1,0 Вт; 4M х 4 Динамическая оперативная память: ОКБ Page модыTM Technology
1184156T2316407A-104M х 4 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ EDOTaiwan Memory Technology
1184157T2316407A-504M х 4 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ EDOTaiwan Memory Technology
1184158T2316407A-604M х 4 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ EDOTaiwan Memory Technology
1184159T2316407A-704M х 4 ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ СТРАНИЦЫ ШТОССЕЛЯ EDOTaiwan Memory Technology
1184160T2320ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ТРИАКИ КРЕМНИЯ СТРОБА 2.5-AGeneral Electric Solid State
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29599 | 29600 | 29601 | 29602 | 29603 | 29604 | 29605 | 29606 | 29607 | 29608 | 29609 | >>
English Version for this page Version franaise pour cette page Deutsche Version fr diese Seite Verso portuguese para esta pgina



© 2020 - www.DatasheetCatalog.com