| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 18281 | 1N4684 | Освинцованное General purpose Zener
diode | Central Semiconductor |
| 18282 | 1N4684 | 500 милливатт стекла кремния стабилитрон, стабилитрон напряжение 3,3 В | Motorola |
| 18283 | 1N4684 (DO35) | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18284 | 1N4685 | З-Diody Кремния Эпитаксиальные Плоскостные | Vishay |
| 18285 | 1N4685 | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18286 | 1N4685 | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18287 | 1N4685 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 18288 | 1N4685 | 50 uA, НИЗКОЕ РАБОТАЯ ТЕЧЕНИЕ, ДИОДЫ
ZENER | Compensated Devices Incorporated |
| 18289 | 1N4685 | ТЕЧЕНИЕ ДИОДОВ ULTRA-LOW НИЗКОГО УРОВНЯ
ZENER: 50.? - НИЗКАЯ УТЕЧКА | Knox Semiconductor Inc |
| 18290 | 1N4685 | Освинцованное General purpose Zener
diode | Central Semiconductor |
| 18291 | 1N4685 | 500 милливатт стекла кремния стабилитрон, стабилитрон напряжение 3.6V | Motorola |
| 18292 | 1N4685 (DO35) | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18293 | 1N4685D | Освинцованное General purpose Zener
diode | Central Semiconductor |
| 18294 | 1N4686 | З-Diody Кремния Эпитаксиальные Плоскостные | Vishay |
| 18295 | 1N4686 | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18296 | 1N4686 | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18297 | 1N4686 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 18298 | 1N4686 | 50 uA, НИЗКОЕ РАБОТАЯ ТЕЧЕНИЕ, ДИОДЫ
ZENER | Compensated Devices Incorporated |
| 18299 | 1N4686 | ТЕЧЕНИЕ ДИОДОВ ULTRA-LOW НИЗКОГО УРОВНЯ
ZENER: 50.? - НИЗКАЯ УТЕЧКА | Knox Semiconductor Inc |
| 18300 | 1N4686 | Освинцованное General purpose Zener
diode | Central Semiconductor |
| 18301 | 1N4686 | 500 милливатт стекла кремния стабилитрон, стабилитрон напряжение 3.9V | Motorola |
| 18302 | 1N4686 (DO35) | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18303 | 1N4686D | Освинцованное General purpose Zener
diode | Central Semiconductor |
| 18304 | 1N4687 | З-Diody Кремния Эпитаксиальные Плоскостные | Vishay |
| 18305 | 1N4687 | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18306 | 1N4687 | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18307 | 1N4687 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 18308 | 1N4687 | 50 uA, НИЗКОЕ РАБОТАЯ ТЕЧЕНИЕ, ДИОДЫ
ZENER | Compensated Devices Incorporated |
| 18309 | 1N4687 | ТЕЧЕНИЕ ДИОДОВ ULTRA-LOW НИЗКОГО УРОВНЯ
ZENER: 50.? - НИЗКАЯ УТЕЧКА | Knox Semiconductor Inc |
| 18310 | 1N4687 | Освинцованное General purpose Zener
diode | Central Semiconductor |
| 18311 | 1N4687 | 500 милливатт стекла кремния стабилитрон, стабилитрон напряжение 4.3V | Motorola |
| 18312 | 1N4687 (DO35) | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18313 | 1N4688 | З-Diody Кремния Эпитаксиальные Плоскостные | Vishay |
| 18314 | 1N4688 | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18315 | 1N4688 | Допуск Диода Регулятора Напряжения тока Zener
Плотно | Microsemi |
| 18316 | 1N4688 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | General Semiconductor |
| 18317 | 1N4688 | 50 uA, НИЗКОЕ РАБОТАЯ ТЕЧЕНИЕ, ДИОДЫ
ZENER | Compensated Devices Incorporated |
| 18318 | 1N4688 | ТЕЧЕНИЕ ДИОДОВ ULTRA-LOW НИЗКОГО УРОВНЯ
ZENER: 50.? - НИЗКАЯ УТЕЧКА | Knox Semiconductor Inc |
| 18319 | 1N4688 | Освинцованное General purpose Zener
diode | Central Semiconductor |
| 18320 | 1N4688 | 500 милливатт стекла кремния стабилитрон, стабилитрон напряжение 4,7 В | Motorola |
| | | |
