| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 249001 | BB419 | Диод емкости кремния переменный (для настроенных
vhf применений цепи) | Siemens |
| 249002 | BB41931 | ОТЛИТАЯ В ФОРМУ ОДИНОЧНАЯ ФАЗА НАВОДИТ 0.8
АМПЕРОВ К 1.5 АМПЕРОВ | etc |
| 249003 | BB439 | Varactordiodes - диод емкости кремния переменный
для настроенных vhf применений цепи | Infineon |
| 249004 | BB439 | Диод емкости кремния переменный (для настроенного
vhf рисунка применений цепи высокого заслуги) | Siemens |
| 249005 | BB501 | Строение в склонять усилитель IC UHF/VHF
rf fet mos цепи | Hitachi Semiconductor |
| 249006 | BB501C | Строение в склонять усилитель rf IC fet
mos цепи UHF | Hitachi Semiconductor |
| 249007 | BB501C | Усилитель Rf Косого Controlled Монолитового
IC UHF | Hitachi Semiconductor |
| 249008 | BB501C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249009 | BB501M | Строение в склонять усилитель rf IC fet
mos цепи UHF | Hitachi Semiconductor |
| 249010 | BB501M | Усилитель Rf Косого Controlled Монолитового
IC UHF | Hitachi Semiconductor |
| 249011 | BB501M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249012 | BB502 | Строение в склонять усилитель IC UHF/VHF
rf fet mos цепи | Hitachi Semiconductor |
| 249013 | BB502C | Строение в склонять усилитель rf IC fet
mos цепи UHF | Hitachi Semiconductor |
| 249014 | BB502C | Усилитель Rf Косого Controlled Монолитового
IC UHF | Hitachi Semiconductor |
| 249015 | BB502C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249016 | BB502M | Усилитель Rf Косого Controlled Монолитового
IC UHF | Hitachi Semiconductor |
| 249017 | BB502M | Строение в склонять усилитель rf IC fet
mos цепи UHF | Hitachi Semiconductor |
| 249018 | BB502M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249019 | BB503 | Строение в склонять усилитель IC UHF/VHF
rf fet mos цепи | Hitachi Semiconductor |
| 249020 | BB503C | Усилитель Rf Косого Controlled Монолитового
IC UHF | Hitachi Semiconductor |
| 249021 | BB503C | Строение в склонять усилитель rf IC fet
mos цепи UHF | Hitachi Semiconductor |
| 249022 | BB503C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249023 | BB503M | Усилитель Rf Косого Controlled Монолитового
IC UHF | Hitachi Semiconductor |
| 249024 | BB503M | Строение в склонять усилитель rf IC fet
mos цепи UHF | Hitachi Semiconductor |
| 249025 | BB503M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249026 | BB504C | Усилитель Rf Косого Controlled Монолитового
IC UHF | Hitachi Semiconductor |
| 249027 | BB504C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249028 | BB504M | Усилитель Rf Косого Controlled Монолитового
IC UHF | Hitachi Semiconductor |
| 249029 | BB504M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249030 | BB505C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249031 | BB505M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249032 | BB512 | Диод емкости кремния переменный (на ряд определенный
применениями настраивая 1 am настраивая. 8 v) | Siemens |
| 249033 | BB515 | Диод емкости кремния переменный (для коэффициента
емкости тюнеров uhf и vhf TV/VTR сопротивление серии
большого низкое) | Siemens |
| 249034 | BB535 | Varactordiodes - диод емкости кремния переменный
для тюнеров uhf и TV/TR | Infineon |
| 249035 | BB535 | Диод емкости кремния переменный (для коэффициент емкости
тюнеров uhf и TV/TR большой, низкая серия сопротивления) | Siemens |
| 249036 | BB535 | Диод емкости кремния переменный для электронного | Leshan Radio Company |
| 249037 | BB545 | Varactordiodes - диод кремния настраивая для
тюнеров uhf и vhf tv | Infineon |
| 249038 | BB545 | Диод кремния настраивая (для настраивать коэффициент
емкости тюнеры uhf и vhf tv большой, низкая серия
сопротивления) | Siemens |
| 249039 | BB555 | Varactordiodes - диод кремния настраивая для
UHF тюнеров tv | Infineon |
| 249040 | BB555 | Диод кремния настраивая (для коэффициента емкости
УЮФ-ТВ-thnerov индуктивности серии высокого низкой) | Siemens |
| | | |
