|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6239 | 6240 | 6241 | 6242 | 6243 | 6244 | 6245 | 6246 | 6247 | 6248 | 6249 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
249721BC239ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛАMicro Electronics
249722BC239Кремний Транзисторов NPN УсилителяMotorola
249723BC2390.350W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 25V VCEO, 0.100A Ic, 120 - 800 HFEContinental Device India Limited
249724BC239Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Напряжения коллектор-база VCBO = 30В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = 25В. Эмиттер-базUSHA India LTD
249725BC239ABUТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
249726BC239ATAТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
249727BC239B0.350W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 25V VCEO, 0.100A Ic, 200 - 460 HFEContinental Device India Limited
249728BC239BBUТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
249729BC239BTAТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
249730BC239CКремний Транзисторов NPN УсилителяMotorola
249731BC239CПрименения переключения типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса) pct (транзистора косого резистора built-in), цепи инвертора, цепи поверхности стыка и цепи водителя.ON Semiconductor
249732BC239C0.350W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 25V VCEO, 0.100A Ic, 380 - HFEContinental Device India Limited
249733BC239CBUТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
249734BC239CTAТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
249735BC243AСИЛА TRANSISTORS(6ЈA, 65w)MOSPEC Semiconductor
249736BC251КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ PNP УСИЛИТЕЛЯMotorola
249737BC251AКРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ PNP УСИЛИТЕЛЯMotorola
249738BC251BКРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ PNP УСИЛИТЕЛЯMotorola
249739BC251CКРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ PNP УСИЛИТЕЛЯMotorola
249740BC252КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ PNP УСИЛИТЕЛЯMotorola
249741BC252AКРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ PNP УСИЛИТЕЛЯMotorola
249742BC252BКРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ PNP УСИЛИТЕЛЯMotorola
249743BC252CКРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ PNP УСИЛИТЕЛЯMotorola
249744BC256КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ PNP УСИЛИТЕЛЯMotorola
249745BC256AКРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ PNP УСИЛИТЕЛЯMotorola
249746BC256BКРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ PNP УСИЛИТЕЛЯMotorola
249747BC257ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕMicro Electronics
249748BC258ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕMicro Electronics
249749BC259ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕMicro Electronics
249750BC261КРЕМНИЯ ШУМА УВЕЛИЧЕНИЯ PNP ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОГО НИЗКОГО ПЛОСКОСТНОЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙMicro Electronics
249751BC262КРЕМНИЯ ШУМА УВЕЛИЧЕНИЯ PNP ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОГО НИЗКОГО ПЛОСКОСТНОЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙMicro Electronics
249752BC263КРЕМНИЯ ШУМА УВЕЛИЧЕНИЯ PNP ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОГО НИЗКОГО ПЛОСКОСТНОЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙMicro Electronics
249753BC264Транзисторы Влияния Поля Соединения Канала НMicro Electronics
249754BC264Транзисторы Влияния Поля Соединения Канала НPhilips
249755BC264Fet НSemeLAB
249756BC27SOT23 NPN кремниевой планарной ТранзисторыDiodes
249757BC297ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫЕ ВОДИТЕЛИST Microelectronics
249758BC297ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫЕ ВОДИТЕЛИST Microelectronics
249759BC297V (ЕЭП): 50V; V (генеральный директор): 45V; V (EBO): 5V; 1А; аудио драйверSGS Thomson Microelectronics
249760BC298ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫЕ ВОДИТЕЛИST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6239 | 6240 | 6241 | 6242 | 6243 | 6244 | 6245 | 6246 | 6247 | 6248 | 6249 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com