Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
251241 | BC80840MTF | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
251242 | BC808F | Транзистор кремния PNP (высокое в настоящее время
применение переключения применения) | AUK Corp |
251243 | BC808W | Транзистор af кремния PNP для
генералитета... | Infineon |
251244 | BC808W | Поверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe
PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
251245 | BC808W | PNP Общего назначения Транзисторы | Philips |
251246 | BC817 | Транзисторы general purpose NPN | Philips |
251247 | BC817 | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
251248 | BC817 | Общего назначения Транзисторы | Korea Electronics (KEC) |
251249 | BC817 | Малые Транзисторы Сигнала (NPN) | Vishay |
251250 | BC817 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN
ПЛОСКОСТНЫЕ СРЕДСТВ | Zetex Semiconductors |
251251 | BC817 | Малые Транзисторы Сигнала (NPN) | General Semiconductor |
251252 | BC817 | Транзисторы af кремния NPN (высокое
напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время
увеличения низкое) | Infineon |
251253 | BC817 | Транзисторы af кремния NPN (высокое
напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время
увеличения низкое) | Siemens |
251254 | BC817 | Транзистор кремния NPN (высокое в настоящее время
применение переключения применения) | AUK Corp |
251255 | BC817 | ТРАНЗИСТОР СИГНАЛА ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ NPN
МАЛЫЙ | Diodes |
251256 | BC817 | ТРАНЗИСТОР СИГНАЛА ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ NPN
МАЛЫЙ | TRSYS |
251257 | BC817 | , 500 мА NPN транзисторы 45 V общего назначения | NXP Semiconductors |
251258 | BC817 | 0.250W общего назначения NPN SMD транзистор. 45V VCEO, 0.500A Ic, 100 - 600 HFE. Дополнительные BC807 | Continental Device India Limited |
251259 | BC817 | Surface Mount Si-эпитаксиальных PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
251260 | BC817-16 | Транзисторы general purpose NPN | Philips |
251261 | BC817-16 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN
ПЛОСКОСТНЫЕ СРЕДСТВ | Zetex Semiconductors |
251262 | BC817-16 | Двухполярные Транзисторы | Diodes |
251263 | BC817-16 | Общего назначения транзисторы - транзистор af
кремния NPN для вообще применений af | Infineon |
251264 | BC817-16 | Транзисторы af кремния NPN (высокое
напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время
увеличения низкое) | Siemens |
251265 | BC817-16 | Транзистор 310mW Сигнала NPN Малый | Micro Commercial Components |
251266 | BC817-16 | Транзисторы, Rf & Af | Vishay |
251267 | BC817-16 | Поверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe
PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
251268 | BC817-16 | ТРАНЗИСТОР СИГНАЛА ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ NPN
МАЛЫЙ | TRSYS |
251269 | BC817-16 | , 500 мА NPN транзисторы 45 V общего назначения | NXP Semiconductors |
251270 | BC817-16 | 0.250W общего назначения NPN SMD транзистор. 45V VCEO, 0.500A Ic, 100 - 250 HFE. Дополнительные BC807-16 | Continental Device India Limited |
251271 | BC817-16 | Слабый сигнал транзистора (NPN) | General Semiconductor |
251272 | BC817-16 | NPN транзистор общего назначения и для решения задач коммутации | Korea Electronics (KEC) |
251273 | BC817-16 | Ic = 800mA, Vce = 1,0 транзистор | MCC |
251274 | BC817-16 | NPN поверхностного монтажа небольшой сигнала транзистор | TRANSYS Electronics Limited |
251275 | BC817-16-7 | ТРАНЗИСТОР СИГНАЛА ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ NPN
МАЛЫЙ | Diodes |
251276 | BC817-16-G | Общего назначения Транзистор, V СВО = 50В, V CEO = 45В, V EBO = 5В, я C = 0.5A | Comchip Technology |
251277 | BC817-16L | Пластмасса Транзистора Кремния | ON Semiconductor |
251278 | BC817-16LT1 | Общего назначения Кремний Transistors(NPN) | Leshan Radio Company |
251279 | BC817-16LT1 | СЛУЧАЙ 318-08, ВВОДИТ 6 SOT-23 В МОДУ
(TO-236ЈAB) | Motorola |
251280 | BC817-16LT1 | Пластмасса Транзистора Кремния | ON Semiconductor |
| | | |