Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
251961 | BC848BL | Малый Сигнал XST МИНИЫЙ | ON Semiconductor |
251962 | BC848BLT1 | Общего назначения Кремний Transistors(NPN) | Leshan Radio Company |
251963 | BC848BLT1 | СЛУЧАЙ 318-08, ВВОДИТ 6 SOT-23 В МОДУ
(TO-236ЈAB) | Motorola |
251964 | BC848BLT1 | Малый Сигнал XST МИНИЫЙ | ON Semiconductor |
251965 | BC848BLT3 | Малый Сигнал XST МИНИЫЙ | ON Semiconductor |
251966 | BC848BMTF | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
251967 | BC848BPDW1T1 | Двойное General purpose
Transistors(NPN/PNP Удваивает) | ON Semiconductor |
251968 | BC848BPDW1T1 | Двойное General purpose
Transistors(NPN/PNP Удваивает) | ON Semiconductor |
251969 | BC848BT | Транзисторы af кремния NPN (высокое
напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время
увеличения низкое) | Infineon |
251970 | BC848BT | Транзисторы af кремния NPN (высокое
напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время
увеличения низкое) | Infineon |
251971 | BC848BW | Транзисторы > малый сигнал двухполярное
Transistors(up к 0.6W) | ROHM |
251972 | BC848BW | Двухполярные Транзисторы | Diodes |
251973 | BC848BW | Общего назначения транзисторы - пакет SOT323 | Infineon |
251974 | BC848BW | Транзистор af кремния NPN (для этапов
входного сигнала af и напряжения тока сатурации коллектор-
эмиттера в настоящее время увеличения применений водителя высокого
низкого) | Siemens |
251975 | BC848BW | Общего назначения Кремний Транзистора NPN | ON Semiconductor |
251976 | BC848BW | Поверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe
PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
251977 | BC848BW | NPN транзистор общего назначения и для решения задач коммутации | Korea Electronics (KEC) |
251978 | BC848BW-7-F | Биполярные транзисторы | Diodes |
251979 | BC848BW-G | Слабый сигнал транзистора, V СВО = 30В, V CEO = 30В, V EBO = 5В, я C = 0.1A | Comchip Technology |
251980 | BC848BWT1 | Общего назначения Кремний Transistors(NPN) | Leshan Radio Company |
251981 | BC848BWT1 | СЛУЧАЙ 419-02, ВВОДИТ 3 SOT-323/SC-70 В
МОДУ | Motorola |
251982 | BC848BWT1 | Общего назначения Кремний Транзистора NPN | ON Semiconductor |
251983 | BC848C | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Zetex Semiconductors |
251984 | BC848C | Двухполярные Транзисторы | Diodes |
251985 | BC848C | Малые Транзисторы Сигнала (NPN) | General Semiconductor |
251986 | BC848C | Общего назначения транзисторы - пакет SOT323 | Infineon |
251987 | BC848C | КРЕМНИЙ GENERAL PURPOSE TRANSISITOR
NPN | Zowie Technology Corporation |
251988 | BC848C | Транзисторы af кремния NPN (для этапов
входного сигнала af и увеличения применений водителя высокого в
настоящее время) | Siemens |
251989 | BC848C | Транзистор 310mW Сигнала NPN Малый | Micro Commercial Components |
251990 | BC848C | General purpose Amplifier/Switch
Транзистора NPN Сигнала SMD Малое | Central Semiconductor |
251991 | BC848C | Транзисторы, Rf & Af | Vishay |
251992 | BC848C | Поверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe
PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
251993 | BC848C | 0.250W общего назначения NPN SMD транзистор. 30В VCEO, 0.100A Ic, 420 - 800 HFE. Дополнительные BC858C | Continental Device India Limited |
251994 | BC848C | HFE мин 420 NF макс. 10 дБ Транзистор полярности NPN Текущий Ic непрерывный макс 100 мА Напряжение VCEO 30 В Ток Ic (HFE) 2 мА Мощность Ptot 250 мВт | Fairchild Semiconductor |
251995 | BC848C | NPN транзистор общего назначения и для решения задач коммутации | Korea Electronics (KEC) |
251996 | BC848C | Ic = 100 мА, Vce = 5.0V транзистор | MCC |
251997 | BC848C | NPN Общего назначения транзистор | ROHM |
251998 | BC848C | 30 В, NPN поверхностного монтажа небольшой сигнала транзистор | TRANSYS Electronics Limited |
251999 | BC848C | 30 В, NPN поверхностного монтажа небольшой сигнала транзистор | TRSYS |
252000 | BC848C(Z) | SOT23 NPN кремниевой планарной ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРЫ | Diodes |
| | | |