|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1320097Страница: << | 6303 | 6304 | 6305 | 6306 | 6307 | 6308 | 6309 | 6310 | 6311 | 6312 | 6313 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
252281BD5360FVEДетектор напряжения, 6.0VROHM
252282BD5360GУказатель напряжения 6ВROHM
252283BD5360G/FVEДетекторы напряжения тока > IC детектора напряжения тока cmos с внешним ч задерживают цепь (тип выхода cmos)ROHM
252284BD536JТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
252285BD537Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
252286BD537КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯST Microelectronics
252287BD537КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
252288BD537КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
252289BD53750.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 8.000A Ic, 15 HFE.Continental Device India Limited
252290BD537Эпитаксиальное-база кремния NPN VERSAWATT транзистор. 80V, 50W.General Electric Solid State
252291BD537дополняют кремния NPN пластик силового транзистора. 80 V, 4, 50 ВтMotorola
252292BD537JТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
252293BD538Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
252294BD538КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯST Microelectronics
252295BD538КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
252296BD538КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
252297BD53850.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 8.000A Ic, 15 HFE.Continental Device India Limited
252298BD538Эпитаксиальное-база кремния PNP VERSAWATT транзистор. -80V, 50W.General Electric Solid State
252299BD538дополняют кремния PNP пластик силового транзистора. 80 V, 4, 50 ВтMotorola
252300BD538JТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
252301BD538KТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
252302BD538KTUТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
252303BD539ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
252304BD539AТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
252305BD539BТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
252306BD539CТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
252307BD539DТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
252308BD53XXFVEIC ДЕТЕКТОРА НАПРЯЖЕНИЯ ТОКАetc
252309BD53XXFVEIC ДЕТЕКТОРА НАПРЯЖЕНИЯ ТОКАetc
252310BD53XXGIC ДЕТЕКТОРА НАПРЯЖЕНИЯ ТОКАROHM
252311BD540ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNPPower Innovations
252312BD540AТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNPPower Innovations
252313BD540BТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNPPower Innovations
252314BD540CТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNPPower Innovations
252315BD543ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
252316BD543AТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
252317BD543BТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
252318BD543CТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
252319BD544ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNPPower Innovations
252320BD544ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNPTRSYS
Информация Найдено :: 1320097Страница: << | 6303 | 6304 | 6305 | 6306 | 6307 | 6308 | 6309 | 6310 | 6311 | 6312 | 6313 | >>
English Version for this page Version franaise pour cette page Deutsche Version fr diese Seite Verso portuguese para esta pgina



© 2014 - www.DatasheetCatalog.com