| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 252641 | BC858B | Транзисторы, Rf & Af | Vishay |
| 252642 | BC858B | PNP транзисторы общего назначения | NXP Semiconductors |
| 252643 | BC858B | 0.250W общего назначения PNP SMD транзистор. 30В VCEO, 0.100A Ic, 220 - 475 HFE. Дополнительные BC848B | Continental Device India Limited |
| 252644 | BC858B | Surface Mount Si-эпитаксиальных PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 252645 | BC858B | PNP транзистор общего назначения и коммутационных приложений | Korea Electronics (KEC) |
| 252646 | BC858B | Ic = 100 мА, Vce = 5.0V транзистор | MCC |
| 252647 | BC858B | 30 В, PNP поверхностного монтажа небольшой сигнала транзистор | TRANSYS Electronics Limited |
| 252648 | BC858B | 30 В, PNP поверхностного монтажа небольшой сигнала транзистор | TRSYS |
| 252649 | BC858B(Z) | SOT23 NPN кремниевой планарной ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРЫ | Diodes |
| 252650 | BC858B-3K | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 PNP ПЛОСКОСТНЫЕ
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Unknow |
| 252651 | BC858B-3K | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 PNP ПЛОСКОСТНЫЕ
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Unknow |
| 252652 | BC858B-7 | ТРАНЗИСТОР СИГНАЛА ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ PNP
МАЛЫЙ | Diodes |
| 252653 | BC858B-7 | ТРАНЗИСТОР СИГНАЛА ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ PNP
МАЛЫЙ | Diodes |
| 252654 | BC858B-7-F | Биполярные транзисторы | Diodes |
| 252655 | BC858BDW1T1 | Двойное Общего назначения Transistors(PNP
Удваивает) | Leshan Radio Company |
| 252656 | BC858BF | Транзисторы general purpose PNP | Philips |
| 252657 | BC858BF E6327 | Одиночные транзисторы af для общего назначения
применений | Infineon |
| 252658 | BC858BL | Общего назначения Транзисторы | ON Semiconductor |
| 252659 | BC858BL3 | Одиночные транзисторы af для общего назначения
применений | Infineon |
| 252660 | BC858BLT1 | Общего назначения Кремний Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 252661 | BC858BLT1 | СЛУЧАЙ 318-08, ВВОДИТ 6 SOT-23 В МОДУ
(TO-236ЈAB) | Motorola |
| 252662 | BC858BLT1 | Общего назначения Транзисторы | ON Semiconductor |
| 252663 | BC858BLT1G | Общего назначения Транзисторы | ON Semiconductor |
| 252664 | BC858BLT1G | Общего назначения Кремний Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 252665 | BC858BLT1G | Общего назначения Транзисторы | ON Semiconductor |
| 252666 | BC858BLT1G | Общего назначения Кремний Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 252667 | BC858BLT3 | Общего назначения Транзисторы | ON Semiconductor |
| 252668 | BC858BMTF | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 252669 | BC858BW | Транзисторы > малый сигнал двухполярное
Transistors(up к 0.6W) | ROHM |
| 252670 | BC858BW | Двухполярные Транзисторы | Diodes |
| 252671 | BC858BW | Общего назначения транзисторы - пакет SOT23 | Infineon |
| 252672 | BC858BW | Транзисторы af кремния PNP (для этапов
входного сигнала af и напряжения тока сатурации коллектор-
эмиттера в настоящее время увеличения применений водителя высокого
низкого) | Siemens |
| 252673 | BC858BW | Общего назначения Транзисторы | ON Semiconductor |
| 252674 | BC858BW | Surface Mount Si-эпитаксиальных PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 252675 | BC858BW | PNP транзистор общего назначения и коммутационных приложений | Korea Electronics (KEC) |
| 252676 | BC858BW-7 | ТРАНЗИСТОР СИГНАЛА ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ PNP
МАЛЫЙ | Diodes |
| 252677 | BC858BW-7 | ТРАНЗИСТОР СИГНАЛА ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ PNP
МАЛЫЙ | Diodes |
| 252678 | BC858BW-7-F | Биполярные транзисторы | Diodes |
| 252679 | BC858BW-G | Слабый сигнал транзистора, V СВО = -30V, V CEO = -30V, V EBO = -5, я C = -0.1A | Comchip Technology |
| 252680 | BC858BWT1 | Общего назначения Кремний Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| | | |
