|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6396 | 6397 | 6398 | 6399 | 6400 | 6401 | 6402 | 6403 | 6404 | 6405 | 6406 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
256001BD159-DПластичный Средств Транзистор Кремния Силы NPNON Semiconductor
256002BD159STUТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
256003BD165Пластичный Средств Транзистор Кремния NPN СилыMotorola
256004BD16520.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 1.500A Ic, 40 HFE. Дополнительные BD166Continental Device India Limited
256005BD166Пластичный Средств Транзистор Кремния PNP СилыMotorola
256006BD16620.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 1.500A Ic, 40 HFE. Дополнительные BD165Continental Device India Limited
256007BD16720.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 1.500A Ic, 40 HFE. Дополнительные BD168Continental Device India Limited
256008BD16820.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 1.500A Ic, 40 HFE. Дополнительные BD167Continental Device India Limited
256009BD168PNP кремния мощный транзистор. 1.5, 60 V, 20 ВтMotorola
256010BD169Пластичный Средств Транзистор Кремния NPN СилыMotorola
256011BD16920.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 1.500A Ic, 40 HFE. Дополнительные BD170Continental Device India Limited
256012BD17020.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 1.500A Ic, 40 HFE. Дополнительные BD169Continental Device India Limited
256013BD170PNP кремния мощный транзистор. 1.5, 80 V, 20 ВтMotorola
256014BD175Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
256015BD175Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
256016BD17530.000W Переключение NPN Пластиковые Этилированный транзистор. 45V VCEO, 3.000A Ic, 40 HFE.Continental Device India Limited
256017BD175-1030.000W Переключение NPN Пластиковые Этилированный транзистор. 45V VCEO, 3.000A Ic, 63 - 160 HFE.Continental Device India Limited
256018BD175-1630.000W Переключение NPN Пластиковые Этилированный транзистор. 45V VCEO, 3.000A Ic, 100 - 250 HFE.Continental Device India Limited
256019BD175-630.000W Переключение NPN Пластиковые Этилированный транзистор. 45V VCEO, 3.000A Ic, 40 - 100 HFE.Continental Device India Limited
256020BD17510STUТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
256021BD17516STUТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
256022BD1756STUТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
256023BD176Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
256024BD176Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
256025BD17630.000W Переключение PNP Пластиковые Этилированный транзистор. 45V VCEO, 3.000A Ic, 40 HFE.Continental Device India Limited
256026BD176-1030.000W Переключение PNP Пластиковые Этилированный транзистор. 45V VCEO, 3.000A Ic, 63 - 160 HFE.Continental Device India Limited
256027BD176-1630.000W Переключение PNP Пластиковые Этилированный транзистор. 45V VCEO, 3.000A Ic, 100 - 250 HFE.Continental Device India Limited
256028BD176-630.000W Переключение PNP Пластиковые Этилированный транзистор. 45V VCEO, 3.000A Ic, 40 - 100 HFE.Continental Device India Limited
256029BD17610STUТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
256030BD1766STUТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
256031BD177Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
256032BD177Средств сила линейная и применения переключенияFairchild Semiconductor
256033BD17730.000W Переключение NPN Пластиковые Этилированный транзистор. 60V VCEO, 3.000A Ic, 40 HFE.Continental Device India Limited
256034BD177-1030.000W Переключение NPN Пластиковые Этилированный транзистор. 60V VCEO, 3.000A Ic, 63 - 160 HFE.Continental Device India Limited
256035BD177-630.000W Переключение NPN Пластиковые Этилированный транзистор. 60V VCEO, 3.000A Ic, 40 - 100 HFE.Continental Device India Limited
256036BD178Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
256037BD178Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
256038BD17830.000W Переключение PNP Пластиковые Этилированный транзистор. 60V VCEO, 3.000A Ic, 40 HFE.Continental Device India Limited
256039BD178-1030.000W Переключение PNP Пластиковые Этилированный транзистор. 60V VCEO, 3.000A Ic, 63 - 160 HFE.Continental Device India Limited
256040BD178-630.000W Переключение PNP Пластиковые Этилированный транзистор. 60V VCEO, 3.000A Ic, 40 - 100 HFE.Continental Device India Limited
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6396 | 6397 | 6398 | 6399 | 6400 | 6401 | 6402 | 6403 | 6404 | 6405 | 6406 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com