Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
256121 | BD236 | 25.000W Переключение PNP Пластиковые Этилированный транзистор. 60V VCEO, 2.000A Ic, 25 HFE. | Continental Device India Limited |
256122 | BD236 | NPN кремния мощный транзистор. 2, 60 В, 25 Вт | Motorola |
256123 | BD236STU | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256124 | BD237 | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256125 | BD237 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
256126 | BD237 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
256127 | BD237 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
256128 | BD237 | Пластичный Средств Транзистор Кремния NPN Силы | Motorola |
256129 | BD237 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
256130 | BD237 | Сила 2ЈA 80V NPN 25W | ON Semiconductor |
256131 | BD237 | 25.000W Переключение NPN Пластиковые Этилированный транзистор. 80V VCEO, 2.000A Ic, 25 HFE. | Continental Device India Limited |
256132 | BD237-D | Пластичный Средств Транзистор Кремния NPN Силы | ON Semiconductor |
256133 | BD237STU | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256134 | BD238 | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256135 | BD238 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
256136 | BD238 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
256137 | BD238 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
256138 | BD238 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
256139 | BD238 | Сила 2ЈA 80V PNP 25W | ON Semiconductor |
256140 | BD238 | 25.000W Переключение PNP Пластиковые Этилированный транзистор. 80V VCEO, 2.000A Ic, 25 HFE. | Continental Device India Limited |
256141 | BD238 | Пластиковые средней мощности кремния PNP транзистор. 2, 80 В, 25 Вт | Motorola |
256142 | BD238S | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256143 | BD238STU | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256144 | BD239 | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256145 | BD239 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Power Innovations |
256146 | BD239 | 30.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 2.000A Ic, 40 HFE. | Continental Device India Limited |
256147 | BD239 | Про электронный транзистор питания | General Electric Solid State |
256148 | BD239A | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256149 | BD239A | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Power Innovations |
256150 | BD239A | 30.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 2.000A Ic, 40 HFE. | Continental Device India Limited |
256151 | BD239A | Про электронный транзистор питания | General Electric Solid State |
256152 | BD239ATU | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256153 | BD239B | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256154 | BD239B | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Power Innovations |
256155 | BD239B | 30.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 2.000A Ic, 40 HFE. | Continental Device India Limited |
256156 | BD239B | Про электронный транзистор питания | General Electric Solid State |
256157 | BD239BTU | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256158 | BD239C | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256159 | BD239C | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | ST Microelectronics |
256160 | BD239C | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Power Innovations |
| | | |