Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
256321 | BD243A | NPN кремния пластик силового транзистора. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначен | USHA India LTD |
256322 | BD243ATU | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256323 | BD243B | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256324 | BD243B | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
256325 | BD243B | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Power Innovations |
256326 | BD243B | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
256327 | BD243B | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
256328 | BD243B | СИЛА TRANSISTORS(6ЈA, 65w) | MOSPEC Semiconductor |
256329 | BD243B | СИЛА TRANSISTORSS КОМПЛЕМЕНТАРНОГО КРЕМНИЯ
ПЛАСТИЧНАЯ | Boca Semiconductor Corporation |
256330 | BD243B | Транзисторы Силы Комплементарного Кремния Пластичные | Motorola |
256331 | BD243B | Сила 6ЈA 80V NPN | ON Semiconductor |
256332 | BD243B | 65.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 6.000A Ic, 30 HFE. | Continental Device India Limited |
256333 | BD243B | Эпитаксиальное-база кремния NPN VERSAWATT транзистор. Vcer 90V, 65W. | General Electric Solid State |
256334 | BD243B | NPN кремния пластик мощность NPN-транзистор. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначе | USHA India LTD |
256335 | BD243B-D | Транзисторы Силы Комплементарного Кремния Пластичные | ON Semiconductor |
256336 | BD243BTU | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256337 | BD243C | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256338 | BD243C | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
256339 | BD243C | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Power Innovations |
256340 | BD243C | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
256341 | BD243C | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
256342 | BD243C | СИЛА TRANSISTORS(6ЈA, 65w) | MOSPEC Semiconductor |
256343 | BD243C | СИЛА TRANSISTORSS КОМПЛЕМЕНТАРНОГО КРЕМНИЯ
ПЛАСТИЧНАЯ | Boca Semiconductor Corporation |
256344 | BD243C | Транзисторы Силы Комплементарного Кремния Пластичные | Motorola |
256345 | BD243C | Сила 6ЈA 100V NPN | ON Semiconductor |
256346 | BD243C | 65.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 100V VCEO, 6.000A Ic, 15 HFE. | Continental Device India Limited |
256347 | BD243C | Эпитаксиальное-база кремния NPN VERSAWATT транзистор. Vcer 115, 65 Вт. | General Electric Solid State |
256348 | BD243C | NPN кремния пластик мощность NPN-транзистор. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначе | USHA India LTD |
256349 | BD243TU | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256350 | BD244 | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256351 | BD244 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNP | Power Innovations |
256352 | BD244 | СИЛА TRANSISTORS(6ЈA, 65w) | MOSPEC Semiconductor |
256353 | BD244 | СИЛА TRANSISTORSS КОМПЛЕМЕНТАРНОГО КРЕМНИЯ
ПЛАСТИЧНАЯ | Boca Semiconductor Corporation |
256354 | BD244 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNP | TRSYS |
256355 | BD244 | 65.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 6.000A Ic, 30 HFE. | Continental Device India Limited |
256356 | BD244 | Эпитаксиальное-база кремния PNP VERSAWATT транзистор. Vcer -55V, 65W. | General Electric Solid State |
256357 | BD244 | 55 V PNP Silicon Power Transistor | TRANSYS Electronics Limited |
256358 | BD244A | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256359 | BD244A | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNP | Power Innovations |
256360 | BD244A | СИЛА TRANSISTORS(6ЈA, 65w) | MOSPEC Semiconductor |
| | | |