|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6410 | 6411 | 6412 | 6413 | 6414 | 6415 | 6416 | 6417 | 6418 | 6419 | 6420 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
256561BD435ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ EPIBASE PNPSiemens
256562BD435Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
256563BD43536.000W Переключение NPN Пластиковые Этилированный транзистор. 32V VCEO, 4.000A Ic, 50 HFE.Continental Device India Limited
256564BD435Пластиковые средней мощности кремния NPN-транзистор. 4, 32 В.Motorola
256565BD435SТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
256566BD435STUТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
256567BD436Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
256568BD436КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯST Microelectronics
256569BD436КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
256570BD436КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
256571BD436ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ EPIBASE PNPSiemens
256572BD436Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
256573BD43636.000W Переключение PNP Пластиковые Этилированный транзистор. 32V VCEO, 4.000A Ic, 50 HFE.Continental Device India Limited
256574BD436Пластиковые средней мощности кремния PNP транзистор. 4, 32 В.Motorola
256575BD436SТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
256576BD436STUТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
256577BD437Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
256578BD437КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯST Microelectronics
256579BD437ТРАНЗИСТОР СИЛЫ ОСНОВАНИЯ NPN КРЕМНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙMicro Electronics
256580BD437КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
256581BD437КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
256582BD437ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ EPIBASE PNPSiemens
256583BD437Пластичный Средств Транзистор Кремния NPN СилыMotorola
256584BD437Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
256585BD437Пластичный Средств Транзистор Кремния NPN СилыON Semiconductor
256586BD43736.000W Переключение NPN Пластиковые Этилированный транзистор. 45V VCEO, 4.000A Ic, 40 HFE.Continental Device India Limited
256587BD437-DПластичный Средств Транзистор Кремния NPN СилыON Semiconductor
256588BD437SТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
256589BD437TПластичный Средств Транзистор Кремния NPN СилыON Semiconductor
256590BD438Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
256591BD438КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯST Microelectronics
256592BD438КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
256593BD438КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
256594BD438ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ EPIBASE PNPSiemens
256595BD438Пластичный Средств Транзистор Кремния PNP СилыMotorola
256596BD438Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
256597BD438Сила 4ЈA 45V PNPON Semiconductor
256598BD43836.000W Переключение PNP Пластиковые Этилированный транзистор. 45V VCEO, 4.000A Ic, 40 HFE.Continental Device India Limited
256599BD438-DПластичный Средств Транзистор Кремния PNP СилыON Semiconductor
256600BD438SТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6410 | 6411 | 6412 | 6413 | 6414 | 6415 | 6416 | 6417 | 6418 | 6419 | 6420 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com