| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 256601 | BD438STU | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 256602 | BD439 | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 256603 | BD439 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
| 256604 | BD439 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 256605 | BD439 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 256606 | BD439 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 256607 | BD439 | Пластичный Средств Транзистор Кремния NPN Силы | ON Semiconductor |
| 256608 | BD439 | 36.000W Переключение NPN Пластиковые Этилированный транзистор. 60V VCEO, 4.000A Ic, 25 HFE. | Continental Device India Limited |
| 256609 | BD439 | Пластиковые средней мощности кремния NPN-транзистор. 4, 60 В. | Motorola |
| 256610 | BD439 | 60 V, 4, NPN кремниевый транзистор epibase | Siemens |
| 256611 | BD439S | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 256612 | BD440 | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 256613 | BD440 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
| 256614 | BD440 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 256615 | BD440 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 256616 | BD440 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ EPIBASE PNP | Siemens |
| 256617 | BD440 | Пластичный Средств Транзистор Кремния PNP Силы | Motorola |
| 256618 | BD440 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 256619 | BD440 | Сила 4ЈA 60V PNPD | ON Semiconductor |
| 256620 | BD440 | 36.000W Переключение PNP Пластиковые Этилированный транзистор. 60V VCEO, 4.000A Ic, 25 HFE. | Continental Device India Limited |
| 256621 | BD440S | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 256622 | BD441 | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 256623 | BD441 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
| 256624 | BD441 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 256625 | BD441 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 256626 | BD441 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ EPIBASE PNP | Siemens |
| 256627 | BD441 | Пластичный Средств Транзистор Кремния NPN Силы | Motorola |
| 256628 | BD441 | Пластичный Средств Транзистор Кремния NPN Силы | ON Semiconductor |
| 256629 | BD441 | 36.000W Переключение NPN Пластиковые Этилированный транзистор. 80V VCEO, 4.000A Ic, 15 HFE. | Continental Device India Limited |
| 256630 | BD441STU | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 256631 | BD442 | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 256632 | BD442 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
| 256633 | BD442 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 256634 | BD442 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 256635 | BD442 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ EPIBASE PNP | Siemens |
| 256636 | BD442 | Пластичный Средств Транзистор Кремния PNP Силы | Motorola |
| 256637 | BD442 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 256638 | BD442 | Сила 4ЈA 80V PNP | ON Semiconductor |
| 256639 | BD442 | 36.000W Переключение PNP Пластиковые Этилированный транзистор. 80V VCEO, 4.000A Ic, 15 HFE. | Continental Device India Limited |
| 256640 | BD442S | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| | | |
