|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6443 | 6444 | 6445 | 6446 | 6447 | 6448 | 6449 | 6450 | 6451 | 6452 | 6453 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
257881BD795ТРАНЗИСТОРЫ EPITAXIAL-BASE/SILICON N-P-N И P-N-P VERSAWATTIntersil
257882BD795Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 45V, 65W.General Electric Solid State
257883BD796ТРАНЗИСТОРЫ EPITAXIAL-BASE/SILICON N-P-N И P-N-P VERSAWATTIntersil
257884BD796Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -45V, 65W.General Electric Solid State
257885BD7960FMОптически водитель диска LSIs > Motor/Actuator > CD/CD-ROM driver(5ch, 6ch)ROHM
257886BD7961FMОптически водитель диска LSIs > Motor/Actuator > CD/CD-ROM driver(5ch, 6ch)ROHM
257887BD7962FMОптически водитель диска LSIs > Motor/Actuator > CD/CD-ROM driver(5ch, 6ch)ROHM
257888BD797ТРАНЗИСТОРЫ EPITAXIAL-BASE/SILICON N-P-N И P-N-P VERSAWATTIntersil
257889BD797Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 60V, 65W.General Electric Solid State
257890BD798ТРАНЗИСТОРЫ EPITAXIAL-BASE/SILICON N-P-N И P-N-P VERSAWATTIntersil
257891BD798Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -60V, 65W.General Electric Solid State
257892BD799ТРАНЗИСТОРЫ EPITAXIAL-BASE/SILICON N-P-N И P-N-P VERSAWATTIntersil
257893BD799Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 80V, 65W.General Electric Solid State
257894BD800ТРАНЗИСТОРЫ EPITAXIAL-BASE/SILICON N-P-N И P-N-P VERSAWATTIntersil
257895BD800Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -80V, 65W.General Electric Solid State
257896BD801Пластичный Транзистор Кремния NPN Высокой СилыMotorola
257897BD801ТРАНЗИСТОРЫ EPITAXIAL-BASE/SILICON N-P-N И P-N-P VERSAWATTIntersil
257898BD801Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 100V, 65W.General Electric Solid State
257899BD802Пластичный Транзистор Кремния PNP Высокой СилыMotorola
257900BD802ТРАНЗИСТОРЫ EPITAXIAL-BASE/SILICON N-P-N И P-N-P VERSAWATTIntersil
257901BD802КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ PNPON Semiconductor
257902BD802Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -100V, 65W.General Electric Solid State
257903BD802-DПластичный Транзистор Кремния PNP Высокой СилыON Semiconductor
257904BD808Пластичный Транзистор Кремния PNP Высокой СилыMotorola
257905BD808-DПластичный Транзистор Кремния PNP Высокой СилыON Semiconductor
257906BD809Пластичный Транзистор Кремния Высокой СилыON Semiconductor
257907BD809-DПластичный Транзистор Кремния Высокой СилыON Semiconductor
257908BD810Пластичный Транзистор Кремния PNP Высокой СилыON Semiconductor
257909BD810Пластиковые высокой мощности кремния PNP транзисторMotorola
257910BD825Транзисторы силы NPNPhilips
257911BD829Транзисторы силы NPNPhilips
257912BD830Транзисторы силы PNPPhilips
257913BD861ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON NPNSiemens
257914BD862ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON PNPSiemens
257915BD863ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON NPNSiemens
257916BD864ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON PNPSiemens
257917BD865ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON NPNSiemens
257918BD866ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON PNPSiemens
257919BD875ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ ПЛОСКОСТНЫЕ DARLINGTON NPNSiemens
257920BD877ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ ПЛОСКОСТНЫЕ DARLINGTON NPNSiemens
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6443 | 6444 | 6445 | 6446 | 6447 | 6448 | 6449 | 6450 | 6451 | 6452 | 6453 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com