|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6455 | 6456 | 6457 | 6458 | 6459 | 6460 | 6461 | 6462 | 6463 | 6464 | 6465 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
258361BDW94CТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
258362BDW94CКОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯST Microelectronics
258363BDW94CСИЛА DARLINGTONS КРЕМНИЯ PNPPower Innovations
258364BDW94CКОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
258365BDW94CКОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
258366BDW94CСИЛА TRANSISTORS(12ЈA, 45-100V, 80w)MOSPEC Semiconductor
258367BDW94CСИЛА DARLINGTONS КРЕМНИЯ PNPTRSYS
258368BDW94CFТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
258369BDW94CFТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
258370BDW94CFТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
258371BDW94CFPКОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯST Microelectronics
258372BDW94CFPКОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
258373BDW94CFTUТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
258374BDX11Двухполярное приспособление NPN в герметично загерметизированном пакете металла TO3SemeLAB
258375BDX12Двухполярное приспособление NPN в герметично загерметизированном пакете металла TO3SemeLAB
258376BDX14ОСНОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕSemeLAB
258377BDX14AТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP, ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ ОСНОВАНИЕSemeLAB
258378BDX14AAТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP, ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ ОСНОВАНИЕSemeLAB
258379BDX16AДвухполярное приспособление PNP в герметично загерметизированном пакете металла TO18SemeLAB
258380BDX18ОСНОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕComset Semiconductors
258381BDX18ОСНОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕComset Semiconductors
258382BDX18ОСНОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕComset Semiconductors
258383BDX18NОСНОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕComset Semiconductors
258384BDX18NОСНОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕComset Semiconductors
258385BDX18NОСНОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕComset Semiconductors
258386BDX20ОСНОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРОВ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕComset Semiconductors
258387BDX20ОСНОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРОВ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕComset Semiconductors
258388BDX20ОСНОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРОВ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕComset Semiconductors
258389BDX27ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
258390BDX27-10ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
258391BDX27-16ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
258392BDX27-6ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
258393BDX28ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
258394BDX28-10ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
258395BDX28-16ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
258396BDX28-6ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
258397BDX29ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
258398BDX29-10ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
258399BDX29-6ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
258400BDX30ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6455 | 6456 | 6457 | 6458 | 6459 | 6460 | 6461 | 6462 | 6463 | 6464 | 6465 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com