| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 258801 | BF-U812RD | ОДИНОЧНЫЕ ИНДИКАЦИИ LED ЧИСЛА | Yellow Stone Corp |
| 258802 | BF-U813RD | ОДИНОЧНЫЕ ИНДИКАЦИИ LED ЧИСЛА | Yellow Stone Corp |
| 258803 | BF-U813RD | ОДИНОЧНЫЕ ИНДИКАЦИИ LED ЧИСЛА | Yellow Stone Corp |
| 258804 | BF-U814RD | ОДИНОЧНЫЕ ИНДИКАЦИИ LED ЧИСЛА | Yellow Stone Corp |
| 258805 | BF-U814RD | ОДИНОЧНЫЕ ИНДИКАЦИИ LED ЧИСЛА | Yellow Stone Corp |
| 258806 | BF-U815RD | ОДИНОЧНЫЕ ИНДИКАЦИИ LED ЧИСЛА | Yellow Stone Corp |
| 258807 | BF-U815RD | ОДИНОЧНЫЕ ИНДИКАЦИИ LED ЧИСЛА | Yellow Stone Corp |
| 258808 | BF-U815RE | ОДИНОЧНЫЕ ИНДИКАЦИИ LED ЧИСЛА | Yellow Stone Corp |
| 258809 | BF-U815RE | ОДИНОЧНЫЕ ИНДИКАЦИИ LED ЧИСЛА | Yellow Stone Corp |
| 258810 | BF-U816RD | ОДИНОЧНЫЕ ИНДИКАЦИИ LED ЧИСЛА | Yellow Stone Corp |
| 258811 | BF-U816RD | ОДИНОЧНЫЕ ИНДИКАЦИИ LED ЧИСЛА | Yellow Stone Corp |
| 258812 | BF-U81DRD | ОДИНОЧНЫЕ ИНДИКАЦИИ LED ЧИСЛА | Yellow Stone Corp |
| 258813 | BF-U81DRD | ОДИНОЧНЫЕ ИНДИКАЦИИ LED ЧИСЛА | Yellow Stone Corp |
| 258814 | BF1005 | Интегрированное RF-MOSFET - вполне склоняющ сеть,
VDS=5V, gfs=24mS, Gp=19dB, F=1.4dB | Infineon |
| 258815 | BF1005 | Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого
шума, входной сигнал высокого увеличения controlled ставит до
сети рабочего потенциала 1GHz интегрированной 5V
стабилизированной косой) | Siemens |
| 258816 | BF1005R | Интегрированное RF-MOSFET - вполне склоняющ сеть,
VDS=5V, gfs=24mS, Gps=19dB, F=1.4dB | Infineon |
| 258817 | BF1005S | Интегрированное RF-MOSFET - вполне склоняющ сеть,
VDS=5V, gfs=30mS, Gp=20dB, F=1.4dB | Infineon |
| 258818 | BF1005S | Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого
шума, входной сигнал высокого увеличения controlled ставит до
сети рабочего потенциала 1GHz интегрированной 5V
стабилизированной косой) | Siemens |
| 258819 | BF1005SR | Интегрированное RF-MOSFET - вполне склоняющ сеть,
VDS=5V, gfs=24mS, Gp=19dB, F=1.4dB | Infineon |
| 258820 | BF1005SW | Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого
шума, входной сигнал высокого увеличения controlled ставит до
рабочего потенциала 5V 1GHz) | Infineon |
| 258821 | BF1005W | Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого
шума, входной сигнал высокого увеличения controlled ставит до
рабочего потенциала 5V 1GHz) | Infineon |
| 258822 | BF1009 | Тетрод mosfet Н-Kanala кремния для... | Infineon |
| 258823 | BF1009 | Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого
шума, высокое увеличение контролировало этапы входного сигнала до сети
рабочего потенциала 9 1GHz интегрированной в стабилизированной
косой | Siemens |
| 258824 | BF1009S | Интегрированное RF-MOSFET - вполне склоняющ сеть,
VDS=9V, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB;
Datasheet на требовании | Infineon |
| 258825 | BF1009S | Тетрод mosfet Н-Kanala кремния для... | Infineon |
| 258826 | BF1009S | Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого
шума, входной сигнал высокого увеличения controlled ставит до
сети рабочего потенциала 1GHz интегрированной 9V косой) | Siemens |
| 258827 | BF1009SR | Интегрированное RF-MOSFET - вполне склоняющ сеть,
VDS=9V, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB;
Datasheet на требовании | Infineon |
| 258828 | BF1012 | Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого
шума, высокое увеличение контролировало этапы входного сигнала до сети
рабочего потенциала 1GHz интегрированной 12V
стабилизированной косой | Siemens |
| 258829 | BF1012S | Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого
шума, входной сигнал высокого увеличения controlled ставит до
рабочего потенциала 5V 1GHz) | Infineon |
| 258830 | BF1012S | Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого
шума, входной сигнал высокого увеличения controlled ставит до
сети рабочего потенциала 1GHz интегрированной 5V
стабилизированной косой) | Siemens |
| 258831 | BF1012W | ТЕТРОД mosfet КРЕМНИЯ N-CHANNEL (для
малошумного, приобретать-gain-controlled входного сигнала ставит
up to 1 гигагерц) | Siemens |
| 258832 | BF1100 | Двузатворные MOS-FETs | Philips |
| 258833 | BF1100 | N-канальный МОП-транзистор с двумя воротами | NXP Semiconductors |
| 258834 | BF1100R | Двузатворные MOS-FETs | Philips |
| 258835 | BF1100WR | Двузатворные MOS-FETs | Philips |
| 258836 | BF1100WR | N-канальный МОП-транзистор с двумя воротами | NXP Semiconductors |
| 258837 | BF1101 | mOS-FETs Н-kanala двузатворные | Philips |
| 258838 | BF1101R | mOS-FETs Н-kanala двузатворные | Philips |
| 258839 | BF1101WR | mOS-FETs Н-kanala двузатворные | Philips |
| 258840 | BF1101WR | N-канальный МОП-транзистор с двумя воротами | NXP Semiconductors |
| | | |
