| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 268481 | BSP315 | Транзистор Мал-Signala П-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268482 | BSP315 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (уровень логики
режима повышения канала п) | Siemens |
| 268483 | BSP315P | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Малый
Mosfet Сигнала, -60V, SOT-223, RDSon = 0.80 | Infineon |
| 268484 | BSP315P | Транзистор Мал-Signala П-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268485 | BSP316 | Транзистор Мал-Signala П-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268486 | BSP316 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (уровень логики
режима повышения канала п) | Siemens |
| 268487 | BSP316P | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Малый
Mosfet Сигнала, -100V, SOT-223, RDSon = 1.80 | Infineon |
| 268488 | BSP317 | Транзистор Мал-Signala П-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268489 | BSP317 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (уровень логики
режима повышения канала п) | Siemens |
| 268490 | BSP317P | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Малый Mosfet
Сигнала, -250V, SOT-223, RDSon = 4 | Infineon |
| 268491 | BSP318S | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Транзистор
Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268492 | BSP318S | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268493 | BSP318S | Расклассифицированная лавина уровня логики режима
повышения канала Transistor(N Мал-Signala SIPMOS) | Siemens |
| 268494 | BSP319 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS
(расклассифицированная лавина уровня логики режима повышения канала
н) | Siemens |
| 268495 | BSP319 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS
(расклассифицированная лавина уровня логики режима повышения канала
н) | Infineon |
| 268496 | BSP319E6327 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268497 | BSP32 | Транзисторы силы PNP средств от 60 до
100 вольтов | Philips |
| 268498 | BSP32 | СРЕДСТВ УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ GaAs MMIC | SGS Thomson Microelectronics |
| 268499 | BSP32 | Поверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe
PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 268500 | BSP32 | СРЕДСТВ УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ GaAs MMIC | ST Microelectronics |
| 268501 | BSP32 | 80 В, 1 А PNP средней мощности транзистор | NXP Semiconductors |
| 268502 | BSP320 | Мал-Сигнал-Tranzistor SIPMOS | Infineon |
| 268503 | BSP320 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS
(расклассифицированная лавина режима повышения канала н) | Siemens |
| 268504 | BSP320S | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Транзистор
Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268505 | BSP320S | Транзистор Мал-Signala SIPMOS
(расклассифицированная лавина режима повышения канала н) | Siemens |
| 268506 | BSP324 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (режим
повышения канала н) | Siemens |
| 268507 | BSP324 | Сил-Tranzistor SIPMOS | Infineon |
| 268508 | BSP33 | Транзисторы силы PNP средств от 60 до
100 вольтов | Philips |
| 268509 | BSP33 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ SOT223 PNP
ПЛОСКОСТНЫЕ СРЕДСТВ | Zetex Semiconductors |
| 268510 | BSP33 | СРЕДСТВ УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ GaAs MMIC | SGS Thomson Microelectronics |
| 268511 | BSP33 | Поверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe
PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 268512 | BSP33 | СРЕДСТВ УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ GaAs MMIC | ST Microelectronics |
| 268513 | BSP33 | 80 В, 1 А PNP средней мощности транзистор | NXP Semiconductors |
| 268514 | BSP350 | MiniPROFET (предохранение от предохранения от
short-circuit переключателя Высок-storony
overtemperature с гистерезисом) | Siemens |
| 268515 | BSP350 | предохранение от предохранения от short-circuit
переключателя МиниПРОФЕТ(Юигю-storony overtemperature с
гистерезисом) | Infineon |
| 268516 | BSP3505D | Обработчик Основной полосы Ядровый | Micronas |
| 268517 | BSP3505D-A2 | Baseband звуковой процессор | Micronas |
| 268518 | BSP350CHIP | Миниый Переключатель PROFET Франтовской Высокий
Бортовой | Infineon |
| 268519 | BSP350E6327 | Миниый Переключатель PROFET Франтовской Высокий
Бортовой | Infineon |
| 268520 | BSP350E6327DELCO | Миниый Переключатель PROFET Франтовской Высокий
Бортовой | Infineon |
| | | |
