| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 268721 | BSS100 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (уровень логики
режима повышения канала н) | Siemens |
| 268722 | BSS100 | Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Уровня Логики
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 268723 | BSS100E6288 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268724 | BSS100E6296 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268725 | BSS100E6325 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268726 | BSS101 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268727 | BSS101 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (уровень логики
режима повышения канала н) | Siemens |
| 268728 | BSS101E6288 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268729 | BSS101E6325 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268730 | BSS101E7923 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268731 | BSS110 | Транзистор Мал-Signala П-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268732 | BSS110 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (уровень логики
режима повышения канала п) | Siemens |
| 268733 | BSS110 | транзисторы режима вертикальные D-MOS повышения
П-kanala | Philips |
| 268734 | BSS110 | Транзисторы Влияния Поля Режима Повышения
П-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 268735 | BSS119 | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Mosfet
Мал-Signala, 100V, SOT-23, RDSon=6ЈOhm,
0.17A, LL | Infineon |
| 268736 | BSS119 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (режим
повышения канала н) | Siemens |
| 268737 | BSS123 | fet уровня логики транзистора TrenchMOS(TM)
Н-kanala | Philips |
| 268738 | BSS123 | Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Уровня Логики
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 268739 | BSS123 | Mosfet Н-kanala | Zetex Semiconductors |
| 268740 | BSS123 | MOSFETS | Diodes |
| 268741 | BSS123 | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Mosfet
Мал-Signala, 100V, SOT-23, RDSon=6 Ом, 0.17A,
LL | Infineon |
| 268742 | BSS123 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (уровень логики
режима повышения канала н) | Siemens |
| 268743 | BSS123 | N-канальный полевой транзистор логика TrenchMOS уровень | NXP Semiconductors |
| 268744 | BSS123(Z) | N-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ режим вертикальной DMOS FET | Diodes |
| 268745 | BSS123-7 | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL | Diodes |
| 268746 | BSS123-7-F | N-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFET | Diodes |
| 268747 | BSS123A | Mosfet Н-kanala | Zetex Semiconductors |
| 268748 | BSS123L | Fet Transistor(N-Channel) TMOS | ON Semiconductor |
| 268749 | BSS123LT1 | Fet Transistor(N-Channel) TMOS | Motorola |
| 268750 | BSS123LT1 | Fet Transistor(N-Channel) TMOS | ON Semiconductor |
| 268751 | BSS123LT1-D | MAmps mosfet 170 силы, 100 вольтов
Н-Kanala SOT-23 | ON Semiconductor |
| 268752 | BSS123LT1D | Mosfet 170 mAmps/ силы 100 вольтов | ON Semiconductor |
| 268753 | BSS123LT1G | Fet Transistor(N-Channel) TMOS | ON Semiconductor |
| 268754 | BSS123LT3 | Fet Transistor(N-Channel) TMOS | ON Semiconductor |
| 268755 | BSS123LT3G | Fet Transistor(N-Channel) TMOS | ON Semiconductor |
| 268756 | BSS123W | MOSFETS | Diodes |
| 268757 | BSS123W-7-F | N-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFET | Diodes |
| 268758 | BSS124 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (режим
повышения канала н) | Siemens |
| 268759 | BSS124E6288 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268760 | BSS125 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| | | |
