|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6715 | 6716 | 6717 | 6718 | 6719 | 6720 | 6721 | 6722 | 6723 | 6724 | 6725 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
268761BSS125Транзистор Мал-Signala SIPMOS (режим повышения канала н)Siemens
268762BSS125E6288Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOSInfineon
268763BSS125E6296Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOSInfineon
268764BSS125E6325Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOSInfineon
268765BSS125E7732Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOSInfineon
268766BSS127SN-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ поле режима MOSFETDiodes
268767BSS127S-7N-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ поле режима MOSFETDiodes
268768BSS127SSNN-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ поле режима MOSFETDiodes
268769BSS127SSN-7N-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ поле режима MOSFETDiodes
268770BSS129Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOSInfineon
268771BSS129Сопротивление режима расхода канала Transistor(N Мал-Signala SIPMOS высокое динамическое)Siemens
268772BSS129E6288Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOSInfineon
268773BSS129E6296Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOSInfineon
268774BSS131MOSFETs Низкого Напряжения тока - Малый Mosfet Сигнала, 240V, SOT-23, RDSon=16.0 Ом, 0.1A, LLInfineon
268775BSS131Транзистор Мал-Signala SIPMOS (уровень логики режима повышения канала н)Siemens
268776BSS135Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOSInfineon
268777BSS135Транзистор Мал-Signala SIPMOS (сопротивление режима расхода канала н высокое динамическое)Siemens
268778BSS135E6325Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOSInfineon
268779BSS138Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Уровня Логики Н-KanalaFairchild Semiconductor
268780BSS138Mosfet Н-kanalaZetex Semiconductors
268781BSS138MOSFETSDiodes
268782BSS138Транзистор Мал-Signala SIPMOS (уровень логики режима повышения канала н)Siemens
268783BSS138Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Н-KanalaChino-Excel Technology
268784BSS138(Z)50V N-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ режим вертикальной DMOS МОП, в SOT23Diodes
268785BSS138-7ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELDiodes
268786BSS138-7-FN-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFETDiodes
268787BSS138-GMOSFET, V DS = 50 В, I D = 0.22A, P D = 350 мВтComchip Technology
268788BSS138AKA60 В, один N-канальный МОП-транзистор ТренчNXP Semiconductors
268789BSS138BK60 В, 360 мА N-канальный МОП-транзистор ТренчNXP Semiconductors
268790BSS138BKS60 В, 320 мА двойной N-канальный МОП-транзистор ТренчNXP Semiconductors
268791BSS138BKW60 В, 320 мА N-канальный МОП-транзистор ТренчNXP Semiconductors
268792BSS138DWMOSFETSDiodes
268793BSS138DW-7-FDUAL N-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ полевого транзистораDiodes
268794BSS138KЛогический уровень Повышение поля моды 50V N-канал Транзистор ВлиянияFairchild Semiconductor
268795BSS138LMAmps mosfet 200 силы, 50 вольтовON Semiconductor
268796BSS138LT1MAmps mosfet 200 силы, 50 вольтовON Semiconductor
268797BSS138LT1-DMAmps mosfet 200 силы, 50 вольтов Н-Kanala SOT-23ON Semiconductor
268798BSS138LT1GMAmps mosfet 200 силы, 50 вольтовON Semiconductor
268799BSS138LT3MAmps mosfet 200 силы, 50 вольтовON Semiconductor
268800BSS138LT3GMAmps mosfet 200 силы, 50 вольтовON Semiconductor
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6715 | 6716 | 6717 | 6718 | 6719 | 6720 | 6721 | 6722 | 6723 | 6724 | 6725 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com