| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 268801 | BSS138N | MOSFETs Низкого Напряжения тока - SOT23,
60V, 3.5ЈOhm, 0.23ЈA | Infineon |
| 268802 | BSS138P | 60 В, 360 мА N-канальный МОП-транзистор Тренч | NXP Semiconductors |
| 268803 | BSS138PS | 60 В, 320 мА двойной N-канальный МОП-транзистор Тренч | NXP Semiconductors |
| 268804 | BSS138PW | 60 В, 360 мА N-канальный МОП-транзистор Тренч | NXP Semiconductors |
| 268805 | BSS138TA | 50V N-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ режим вертикальной DMOS МОП, в SOT23 | Diodes |
| 268806 | BSS138W | MOSFETS | Diodes |
| 268807 | BSS138W | MOSFETs Низкого Напряжения тока - SOT323,
60V, 3.5ЈOhm, 0.28ЈA | Infineon |
| 268808 | BSS138W | Логический уровень Повышение поля моды 50V N-канал Транзистор Влияния | Fairchild Semiconductor |
| 268809 | BSS138W-7 | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL | Diodes |
| 268810 | BSS138W-7-F | N-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ РЕЖИМ MOSFET | Diodes |
| 268811 | BSS139 | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Mosfet
Расхода, 250V, SOT-23, RDSon = 30Ohm, 30mA,
LL | Infineon |
| 268812 | BSS139 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (сопротивление
режима расхода канала н высокое динамическое) | Siemens |
| 268813 | BSS139E6548 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268814 | BSS139E7659 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268815 | BSS139E7941 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268816 | BSS145 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (режим
повышения канала н) | Siemens |
| 268817 | BSS145E6327 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268818 | BSS145E6913 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268819 | BSS145E7652 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268820 | BSS149 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268821 | BSS149 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (сопротивление
режима расхода канала н высокое динамическое) | Siemens |
| 268822 | BSS149E6325 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268823 | BSS149E6906 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268824 | BSS159 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (сопротивление
режима расхода канала н высокое динамическое) | Siemens |
| 268825 | BSS159N | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Mosfet
Расхода, 60V, SOT-23, RDSon = 8Ohm, 0.13ЈA,
NL | Infineon |
| 268826 | BSS169 | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Mosfet
Расхода, 100V, SOT-23, RDSon = 12ЈOhm, 0.09A,
NL | Infineon |
| 268827 | BSS169 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (сопротивление
режима расхода канала н высокое динамическое) | Siemens |
| 268828 | BSS171 | Высокое напряжение транзистора | Motorola |
| 268829 | BSS192 | транзисторы режима вертикальные D-MOS повышения
П-kanala | Philips |
| 268830 | BSS192 | Транзистор Мал-Signala П-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268831 | BSS192 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (уровень логики
режима повышения канала п) | Siemens |
| 268832 | BSS192 | P-канальный вертикальный D-MOS промежуточный уровень FET | NXP Semiconductors |
| 268833 | BSS192P | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Малый
Mosfet Сигнала, -250V, SOT-89, RDSon = 12 | Infineon |
| 268834 | BSS209PW | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Mosfet
OptiMOS, -20V, SOT-323 | Infineon |
| 268835 | BSS223PW | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Mosfet
OptiMOS, -20V, SOT-323 | Infineon |
| 268836 | BSS229 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268837 | BSS229 | Транзистор Мал-Signala SIPMOS (сопротивление
режима расхода канала н высокое динамическое) | Siemens |
| 268838 | BSS229E6296 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268839 | BSS229E7941EG1 | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 268840 | BSS229H | Транзистор Мал-Signala Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| | | |
