| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 331721 | CSD10060B | ZERO ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СПАСЕНИЯ | etc |
| 331722 | CSD10060B | 600; 10А; нулевой восстановления выпрямителя. Для импульсных источников питания, коррекции коэффициента мощности, управление двигат | CREE POWER |
| 331723 | CSD10060G | ZERO ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СПАСЕНИЯ | etc |
| 331724 | CSD10060G | ZERO ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СПАСЕНИЯ | etc |
| 331725 | CSD10060G | 600; 10А; нулевой восстановления выпрямителя. Для импульсных источников питания, коррекции коэффициента мощности, управление двигат | CREE POWER |
| 331726 | CSD10120 | ZERO ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СПАСЕНИЯ | etc |
| 331727 | CSD10120 | ZERO ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СПАСЕНИЯ | etc |
| 331728 | CSD10120D | ZERO ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СПАСЕНИЯ | etc |
| 331729 | CSD10120D | ZERO ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СПАСЕНИЯ | etc |
| 331730 | CSD10120D | 1200 В; 5А; нулевой восстановления выпрямителя. Для импульсных источников питания, коррекции коэффициента мощности, управление двиг | CREE POWER |
| 331731 | CSD1025 | 50.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 150V VCEO, 8.000A Ic, 1500 - 30000 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331732 | CSD1047F | Транзистор CDIL Пакета TO-3P Польностью
Изолированный Пластичный | Continental Device India Limited |
| 331733 | CSD1047F | Транзистор CDIL Пакета TO-3P Польностью
Изолированный Пластичный | Continental Device India Limited |
| 331734 | CSD1047OF | 90.000W питания NPN Пластиковые выводами транзистора. 140В VCEO, 12.000A Ic, 60 - 120 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331735 | CSD1047QF | Транзистор CDIL Пакета TO-3P Польностью
Изолированный Пластичный | Continental Device India Limited |
| 331736 | CSD1047QF | Транзистор CDIL Пакета TO-3P Польностью
Изолированный Пластичный | Continental Device India Limited |
| 331737 | CSD1047YF | Транзистор CDIL Пакета TO-3P Польностью
Изолированный Пластичный | Continental Device India Limited |
| 331738 | CSD1047YF | Транзистор CDIL Пакета TO-3P Польностью
Изолированный Пластичный | Continental Device India Limited |
| 331739 | CSD1133 | 40.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 4.000A Ic, 60 - 320 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331740 | CSD1133B | 40.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 4.000A Ic, 60 - 120 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331741 | CSD1133C | 40.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 4.000A Ic, 100 - 200 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331742 | CSD1133D | 40.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 4.000A Ic, 160 - 320 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331743 | CSD1134 | 40.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 4.000A Ic, 60 - 320 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331744 | CSD1134B | 40.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 4.000A Ic, 60 - 120 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331745 | CSD1134C | 40.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 4.000A Ic, 100 - 200 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331746 | CSD1134D | 40.000W Низкочастотный NPN Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 4.000A Ic, 160 - 320 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331747 | CSD1306 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Continental Device India Limited |
| 331748 | CSD1306 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Continental Device India Limited |
| 331749 | CSD1306D | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Continental Device India Limited |
| 331750 | CSD1306D | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Continental Device India Limited |
| 331751 | CSD1306E | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Continental Device India Limited |
| 331752 | CSD1306E | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Continental Device India Limited |
| 331753 | CSD1306F | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Continental Device India Limited |
| 331754 | CSD1306F | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Continental Device India Limited |
| 331755 | CSD13202Q2 | N-канал Power MOSFET, CSD13202Q2, 12V Vds, 9.3mohm Rdson4.5 (макс.) | Texas Instruments |
| 331756 | CSD13303W1015 | N-канал NexFET ™ Power MOSFET | Texas Instruments |
| 331757 | CSD13381F4 | 12, N-канальный МОП-транзистор FemtoFET ™ | Texas Instruments |
| 331758 | CSD1426F | Транзистор CDIL Пакета TO-3P Польностью
Изолированный Пластичный | Continental Device India Limited |
| 331759 | CSD1426F | Транзистор CDIL Пакета TO-3P Польностью
Изолированный Пластичный | Continental Device India Limited |
| 331760 | CSD1489 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
ПЛОСКОСТНОЙ | Continental Device India Limited |
| | | |
