| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 418121 | FM27C512Q90 | 524/288-Bit (высокий класс исполнения cmos
EPROM 64K x 8) | Fairchild Semiconductor |
| 418122 | FM27C512QE120 | 524/288-Bit (высокий класс исполнения cmos
EPROM 64K x 8) | Fairchild Semiconductor |
| 418123 | FM27C512QE150 | 524/288-Bit (высокий класс исполнения cmos
EPROM 64K x 8) | Fairchild Semiconductor |
| 418124 | FM27C512V120 | 524/288-Bit (высокий класс исполнения cmos
EPROM 64K x 8) | Fairchild Semiconductor |
| 418125 | FM27C512V150 | 524/288-Bit (высокий класс исполнения cmos
EPROM 64K x 8) | Fairchild Semiconductor |
| 418126 | FM27C512V45L | 512-бит (64K х 8) Высокая производительность CMOS EPROM | Fairchild Semiconductor |
| 418127 | FM27C512V55L | 512-бит (64K х 8) Высокая производительность CMOS EPROM | Fairchild Semiconductor |
| 418128 | FM27C512V70L | 512-бит (64K х 8) Высокая производительность CMOS EPROM | Fairchild Semiconductor |
| 418129 | FM27C512V90 | 524/288-Bit (высокий класс исполнения cmos
EPROM 64K x 8) | Fairchild Semiconductor |
| 418130 | FM27C512VE120 | 524/288-Bit (высокий класс исполнения cmos
EPROM 64K x 8) | Fairchild Semiconductor |
| 418131 | FM27C512VE150 | 524/288-Bit (высокий класс исполнения cmos
EPROM 64K x 8) | Fairchild Semiconductor |
| 418132 | FM27C512VE45L | 512-бит (64K х 8) Высокая производительность CMOS EPROM | Fairchild Semiconductor |
| 418133 | FM27C512VE55L | 512-бит (64K х 8) Высокая производительность CMOS EPROM | Fairchild Semiconductor |
| 418134 | FM27C512X120 | 524,288-Bit (представление cmos EPROM
64K х 8)High | Fairchild Semiconductor |
| 418135 | FM27C512X150 | 524,288-Bit (представление cmos EPROM
64K х 8)High | Fairchild Semiconductor |
| 418136 | FM27C512X90 | 524,288-Bit (представление cmos EPROM
64K х 8)High | Fairchild Semiconductor |
| 418137 | FM280 | Тип planer кремния эпитаксиальный | Formosa MS |
| 418138 | FM280 | ПОВЕРХНОСТНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА БАРЬЕРА
SCHOTTKY ДЕРЖАТЕЛЯ (вольты ТЕЧЕНИЯ РЯДА 20 до 100
НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА 2.0 ампера) | Rectron Semiconductor |
| 418139 | FM280-M | Тип planer кремния эпитаксиальный | Formosa MS |
| 418140 | FM28V020-SG | 256 кбит (32 K × 8) F-RAM памяти | Cypress |
| 418141 | FM28V020-SGTR | 256 кбит (32 K × 8) F-RAM памяти | Cypress |
| 418142 | FM28V020-T28G | 256 кбит (32 K × 8) F-RAM памяти | Cypress |
| 418143 | FM28V020-TG | 256 кбит (32 K × 8) F-RAM памяти | Cypress |
| 418144 | FM28V020-TGTR | 256 кбит (32 K × 8) F-RAM памяти | Cypress |
| 418145 | FM28V100-TG | 1 Мбит (128 K × 8) F-RAM памяти | Cypress |
| 418146 | FM28V100-TGTR | 1 Мбит (128 K × 8) F-RAM памяти | Cypress |
| 418147 | FM28V102A-TG | 1 Мбит (64 K × 16) F-RAM памяти | Cypress |
| 418148 | FM28V102A-TGTR | 1 Мбит (64 K × 16) F-RAM памяти | Cypress |
| 418149 | FM28V202A-TG | 2 Мбит (128 K × 16) F-RAM памяти | Cypress |
| 418150 | FM28V202A-TGTR | 2 Мбит (128 K × 16) F-RAM памяти | Cypress |
| 418151 | FM2G150US60 | IGBT-IPM | Fairchild Semiconductor |
| 418152 | FM2G200US60 | IGBT-IPM | Fairchild Semiconductor |
| 418153 | FM2G300US60 | IGBT-IPM | Fairchild Semiconductor |
| 418154 | FM2G400US60 | IGBT-IPM | Fairchild Semiconductor |
| 418155 | FM301 | Тип запассивированный стеклом | Formosa MS |
| 418156 | FM301 | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА КРЕМНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ (вольты ТЕЧЕНИЯ РЯДА 50 до 1000
НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА 3.0 ампера) | Rectron Semiconductor |
| 418157 | FM302 | Тип запассивированный стеклом | Formosa MS |
| 418158 | FM302 | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА КРЕМНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ (вольты ТЕЧЕНИЯ РЯДА 50 до 1000
НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА 3.0 ампера) | Rectron Semiconductor |
| 418159 | FM3020-7 | Конвертеры 50 Ватт DC-DC | Power-One |
| 418160 | FM303 | Тип запассивированный стеклом | Formosa MS |
| | | |
